[发明专利]一种基于二氧化钛三层结构的磁阻传感器

权利要求书

1.一种基于二氧化钛三层结构的磁阻传感器，其特征在于：包括第一铁磁层（1）、第二铁磁层（2）和二氧化钛共振层（3），第一铁磁层（1）和第二铁磁层（2）之间布置二氧化钛共振层（3），第一铁磁层（1）和第二铁磁层（2）分别作为上电极和下电极。

2.根据权利要求1所述的一种基于二氧化钛三层结构的磁阻传感器，其特征在于：第一铁磁层（1）和第二铁磁层（2）均采用铁磁性金属，铁磁性金属采用镍Ni、铁Fe、钴Go和铝AI中一种或多种组合。

3.根据权利要求1所述的一种基于二氧化钛三层结构的磁阻传感器，其特征在于：第一铁磁层（1）和第二铁磁层（2）的材料采用AlNiCo、FeCrCo、FeCrMo、FeAlC、PtCo或MnAlC。

4.根据权利要求1所述的一种基于二氧化钛三层结构的磁阻传感器，其特征在于：二氧化钛共振层（3）包括至少一层二氧化钛层。

5.根据权利要求1-4任一所述的一种基于二氧化钛三层结构的磁阻传感器，其特征在于：二氧化钛三层共振磁阻传感器的磁阻计算公式，如下所示：

其中，T为二氧化钛三层共振磁阻结构的磁阻，为磁化方向为平行时二氧化钛共振层电导，为磁化方向为反平行时二氧化钛共振层电导。