[发明专利]带有智能母线失压补偿功能的自愈式直流系统

权利要求书

1.带有智能母线失压补偿功能的自愈式直流系统，包括两套相互连接的直流系统1#和2#，其特征在于：

1#直流系统内设有供电直流母线KM1+、KM1-；

2#直流系统内设有供电直流母线KM2+、KM2-；

供电直流母线KM1+、KM1-和直流母线KM2+、KM2-之间设有双向DC-DC补偿器DC1，双向DC-DC补偿器DC1两端分别连接1#直流母线和2#直流母线。

2.根据权利要求1所述的带有智能母线失压补偿功能的自愈式直流系统，其特征在于，所述的双向DC-DC补偿器DC1由控制器U1控制；

供电直流母线KM1+、KM1-和供电直流母线KM2+、KM2-上分别设有电压检测装置1DV3和2DV3；

电压检测装置1DV3和2DV3与控制器U1的输入端电连接。

3.根据权利要求2所述的带有智能母线失压补偿功能的自愈式直流系统，其特征在于，所述的双向DC-DC补偿器DC1由三个包含H桥的模块B1、B2和B3构成，模块B3内的H桥之间为隔离变压器T1，模块B1的H桥一端与供电直流母线KM1+、KM1-电连接，模块B1的H桥另一端与模块B2的H桥一端电连接，模块B2的H桥另一端与供电直流母线KM1+、KM1-电连接，模块B1的H桥及模块B2的H桥连接端的正负极与模块B3内的H桥输入端连接，模块B3内的H桥输出端与供电直流母线KM2+、KM2-连接。

4.根据权利要求3所述的带有智能母线失压补偿功能的自愈式直流系统，其特征在于，所述的模块B3内H桥由MOSFET管Q9-Q12组成，MOSFET管Q9和Q10两端与模块B1的H桥及模块B2的H桥连接端的正负极电连接，串联的电容C6和C7与MOSFET管Q9和Q10两端并联，隔离变压器T1的一次线圈一端连接MOSFET管Q9和Q10的中间点，另一端连接电容C6和C7的中间点；

隔离变压器T1的二次线圈以中间点为界分为两段，二次线圈的上下两端分别与H桥的MOSFET管Q11和Q12串联，MOSFET管Q11和Q12的另一端并联后与供电直流母线KM2+电连接，隔离变压器T1的二次线圈中间点与供电直流母线KM2-电连接。

5.根据权利要求4所述的带有智能母线失压补偿功能的自愈式直流系统，其特征在于，所述的隔离变压器T1的一次线圈与电容C8串联，一次线圈与电容C8串联的两端分别与MOSFET管Q9和Q10的中间点及电容C6和C7的中间点电连接。

6.根据权利要求5所述的带有智能母线失压补偿功能的自愈式直流系统，其特征在于，所述的模块B3与供电直流母线KM2+、KM2-的连接端设有电容C9，模块B3与模块B1/B2的连接端设有电容C5。

7.根据权利要求6所述的带有智能母线失压补偿功能的自愈式直流系统，其特征在于，所述的模块B1内的H桥由MOSFET管Q1-Q4组成，MOSFET管Q1和Q2串联，MOSFET管Q3和Q4串联，两个串联支路的中间点之间设有电感L1，MOSFET管Q3和Q4两端与模块B2电连接；

所述的模块B2内的H桥由MOSFET管Q5-Q8组成，MOSFET管Q5和Q6串联，MOSFET管Q7和Q8串联，两个串联支路的中间点之间设有电感L2，MOSFET管Q7和Q8两端与模块B1电连接。

8.根据权利要求7所述的带有智能母线失压补偿功能的自愈式直流系统，其特征在于，所述的模块B1与供电直流母线KM1+、KM1-的连接段设有电容C1，模块B1与模块B3之间的连接端设有电容C3；

所述的模块B2与供电直流母线KM1+、KM1-的连接段设有电容C3，模块B2与模块B3之间的连接端设有电容C4。