[发明专利]一种测试结构、芯片堆叠结构和测试方法

说明书

本公开实施例提供了一种测试结构、芯片堆叠结构和测试方法，该测试结构应用于芯片堆叠结构，芯片堆叠结构包括多个芯片，至少两个芯片构成一个测试组，测试结构包括测试电路，每个测试组具有一个测试电路，测试组中的每个芯片包含部分测试电路，其中：测试电路，用于对测试组进行测试，若测试组中每个芯片包含的部分测试电路均被有效使能启动，则测试电路启动并输出标志信号，标志信号表征测试组不包含顶层芯片。这样，本公开实施例能够快速且准确地从多个芯片中确定出顶层芯片，从而为TSV的测试和修复提供依据。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种测试结构、芯片堆叠结构和测试方法。

背景技术

对于存储器而言，例如动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，三维立体设计比平面设计具有更优的性能。在三维集成结构中，通常采用硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技术实现不同芯片的垂直互联。其中，硅通孔技术是指：在硅基底中蚀刻出通孔，并在通孔中填充铜、钨等金属导体材料，进而形成芯片的垂直互联。对于采用三维集成结构的存储器，硅通孔是保证芯片正常工作的重要器件，对硅通孔进行测试是一项重要的工作。在对硅通孔进行测试时，需要首先在逻辑芯片和顶层之间连接测试点，因此，如何准确从多个芯片中确定出顶层芯片是一个需要解决的问题。

发明内容

本公开实施例提供了一种测试结构、芯片堆叠结构和测试方法。

第一方面，本公开实施例提供了一种测试结构，应用于芯片堆叠结构，所述芯片堆叠结构包括多个芯片，至少两个所述芯片构成一个测试组，所述测试结构包括测试电路，每个所述测试组具有一个所述测试电路，所述测试组中的每个芯片包含部分所述测试电路，其中：

所述测试电路，用于对所述测试组进行测试，若所述测试组中每个所述芯片包含的部分所述测试电路均被有效使能启动，则所述测试电路启动并输出标志信号，所述标志信号表征所述测试组不包含顶层芯片。

在一些实施例中，每一所述芯片内均设置有第一测试模块或者第二测试模块，且每一所述芯片均与硅通孔模块连接，在所述测试组包括两个芯片时，所述两个芯片之间通过所述硅通孔模块连接，所述测试组对应的所述测试电路包括所述第一测试模块和所述第二测试模块，所述第一测试模块和所述第二测试模块分别设置在所述两个芯片内，且所述硅通孔模块的两端分别连接所述第一测试模块和所述第二测试模块。

在一些实施例中，所述第一测试模块，用于根据与所述第一测试模块连接的所述硅通孔模块一端的电压变化确定第一测试结果，所述第一测试结果用于指示所述第一测试模块是否被有效使能启动；

所述第二测试模块，用于根据与所述第二测试模块连接的所述硅通孔模块另一端的电压变化确定第二测试结果，所述第二测试结果用于指示所述第二测试模块是否被有效使能启动；

其中，所述硅通孔模块两端的电压变化由所述第一测试模块和所述第二测试模块共同提供。

在一些实施例中，所述测试电路，还用于若所述第一测试结果和所述第二测试结果中的至多一者为第一值，则确定所述硅通孔模块存在异常。

在一些实施例中，所述测试电路，还用于若所述第一测试结果和所述第二测试结果均为第二值，则确定与所述测试电路连接的所述硅通孔模块的双向传输均存在异常；

所述测试电路，还用于若所述第一测试结果和所述第二测试结果中的一者为第一值，另一者为第二值，则确定与所述测试电路连接的所述硅通孔模块存在单向传输异常。

在一些实施例中，所述第一测试模块包括充电模块和第一触发模块，所述第二测试模块包括放电模块和第二触发模块；其中：

所述充电模块，用于在所述第一触发模块和所述第二触发模块接收到上电信号后，将连接的所述硅通孔模块充电至第一电平；