[发明专利]半导体装置及电力转换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

绝缘层；

电路图案，其设置于所述绝缘层的上表面；

半导体元件，其通过第1接合材料与所述电路图案的上表面接合；

绝缘部件，其通过第2接合材料与所述电路图案的上表面接合；以及

引线电极，其将所述半导体元件与所述绝缘部件连接，

所述半导体元件的上表面与所述引线电极的下表面通过第3接合材料而接合，

所述绝缘部件的上表面与所述引线电极的下表面通过第4接合材料而接合，

所述第1接合材料、所述第2接合材料、所述第3接合材料及所述第4接合材料由相同的材质构成。

2.一种半导体装置，其具有：

冷却机构；

绝缘层，其设置于所述冷却机构的上侧；

电路图案，其设置于所述绝缘层的上表面；

半导体元件，其通过第1接合材料与所述电路图案的上表面接合；

绝缘部件，其通过第2接合材料与所述冷却机构的上表面接合；以及

引线电极，其将所述半导体元件与所述绝缘部件连接，

所述半导体元件的上表面与所述引线电极的下表面通过第3接合材料而接合，

所述绝缘部件的上表面与所述引线电极的下表面通过第4接合材料而接合，

所述第1接合材料、所述第2接合材料、所述第3接合材料及所述第4接合材料由相同的材质构成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具有：

与所述绝缘层不同的另外的绝缘层；以及

与所述电路图案不同的另外的电路图案，其设置于所述另外的绝缘层的下表面，

所述另外的电路图案设置于所述引线电极的上侧，

所述引线电极的接合有所述半导体元件和所述绝缘部件的部位的上表面分别通过第5接合材料和第6接合材料与所述另外的电路图案接合，

所述第1接合材料、所述第2接合材料、所述第3接合材料、所述第4接合材料、所述第5接合材料及所述第6接合材料由相同的材质构成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述引线电极具有能够与外部装置连接的外部连接部，

所述绝缘部件位于所述引线电极的接合有所述半导体元件的部位与所述外部连接部之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

还具有封装树脂，该封装树脂将所述引线电极的一部分、所述半导体元件和所述绝缘部件封装，

所述封装树脂包含环氧树脂或凝胶。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述绝缘部件包含具有氧化膜的Si、AlN、Al₂O₃、SiN或导热率比所述封装树脂高的树脂。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，

所述引线电极包含铜。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第1接合材料包含焊料或银。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，

所述引线电极的截面积被设定为与所述半导体装置的驱动时的所述半导体元件的发热温度相比由所述引线电极的导体电阻引起的发热温度小的大小。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其中，

所述绝缘层包含AlN、Al₂O₃或SiN。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其中，

所述绝缘层包含具有大于或等于10W/m·K的导热率的树脂。