[发明专利]一种光电薄膜退火方法和退火设备

权利要求书

1.一种光电薄膜退火方法，其特征在于，所述退火方法包括如下步骤：

S1控制退火设备各轴归零，将形成薄膜需要退火的基片放置在设备基片台上；

S2通过激光位移传感器获取激光光路终端与薄膜表面的绝对距离，并调节到合适的数值H1；

S3使用连续激光器通过特定光路对薄膜进行线性加热，同步获取加热区域表面温度信息；

S4根据表面温度信息计算激光参数，使薄膜表面获得需要的温度T1；

S5对薄膜表面进行移动性加热，直至完成基片表面薄膜的退火处理。

2.根据权利要求1所述的光电薄膜退火方法，其特征在于，所述激光位移传感器感应位点与激光器加热位点为同一位点。

3.根据权利要求1所述的光电薄膜退火方法，其特征在于，所述数值H1是根据需要一次性加热的线性长度改变而改变的，线性长度100mm，数值H1为200~350mm。

4.根据权利要求1所述的光电薄膜退火方法，其特征在于，所述基片表面温度T1是需要根据实验数据和薄膜基本性质确定的，范围100~500℃。

5.根据权利要求1所述的光电薄膜退火方法，其特征在于，所述移动性激光加热的移动速度是根据获取的加热区域表面温度信息而实时计算而得出的数据。

6.一种光电薄膜退火设备，其特征在于，用于采用如权利要求1-5任一项所述的光电薄膜退火方法对光电薄膜进行退火处理，所述半导体退火装置包括：

基片台（1），用于承载基片（2）；

基片夹具（4）设置于所述基片台（1）上，用于基片的压紧固定；

垂直轴（3）用于调节聚焦镜（6）距离基片高度；

水平轴（7）用于调节基片台（1）位置；

激光光线通过光路支架（8）、激光扫描反射镜组（10）、聚焦镜（6）将点状平行光源转换成线性聚焦光源照射到目标基片（2）上表面；

激光距离传感器（5）设置于所述聚焦镜（6）两侧，数量为2个，用于检测距离基片（2）的距离；

温度传感器（9）设置于光路支架（8）下方，倾斜一定的角度使其温度检测位点为激光加热位点；

控制系统，用于收集温度数据、距离数据、当前运行数据，根据用户设定的参数输出数据控制所述退火设备完成光电薄膜退火。

7.根据权利要求6所述的光电薄膜退火设备，其特征在于，所述水平轴（7）包括X、Y、R三个方向运动功能。

8.根据权利要求6所述的光电薄膜退火设备，其特征在于，所述激光距离传感器（5）和所述聚焦镜（6）相对位置始终固定不变。