[发明专利]发光器件、显示面板、显示装置和发光器件的制作方法

说明书

本公开提供一种发光器件、显示面板、显示装置和发光器件的制作方法。所述发光器件包括：第一膜层，所述第一膜层位于所述第一电极层背离所述衬底基板的一侧，所述第一膜层包括：中间部，以及包围所述中间部的边缘部，其中，所述中间部背离所述第一电极层的表面距所述衬底基板具有第一距离，所述边缘部背离所述第一电极层的表面距所述衬底基板具有第二距离，所述第一距离与所述第二距离不同；发光结构，所述发光结构位于所述第一膜层背离所述第一电极层的一侧，所述发光结构包括有机发光层以及平坦部，所述平坦部位于所述第一距离、所述第二距离中较小一者所在的区域，且与接触的膜层能级匹配。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光器件、显示面板、显示装置和发光器件的制作方法。

背景技术

量子点发光(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)器件结构具有色域广，功耗低等优点，被认为是下一代显示器件最佳的结构。QLED器件有两种发光方式，一种是光致发光结构，一种是电致发光结构。光致发光结构相对简单，但是材料中还有散射粒子，工艺难度大，而且需要背光源。电致发光器件结构相对复杂，而且，目前的材料成熟度低，器件性能不稳定。与之相对，有机电激光显示(Organic Light-Emitting Diode，OLED)已经稳步进入量产阶段，而且效率较高，色域相对于QD稍差。

发明内容

本公开实施例提供一种发光器件，其中，包括：

衬底基板；

第一电极层，所述第一电极层位于所述衬底基板的一侧；

第一膜层，所述第一膜层位于所述第一电极层背离所述衬底基板的一侧，所述第一膜层包括：中间部，以及包围所述中间部的边缘部，其中，所述中间部背离所述第一电极层的表面距所述衬底基板具有第一距离，所述边缘部背离所述第一电极层的表面距所述衬底基板具有第二距离，所述第一距离与所述第二距离不同；

发光结构，所述发光结构位于所述第一膜层背离所述第一电极层的一侧，所述发光结构包括有机发光层以及平坦部，所述平坦部位于所述第一距离、所述第二距离中较小一者所在的区域，且与接触的膜层能级匹配，以经所述平坦部填充后，所述发光结构背离所述第一膜层的表面与所述衬底基板之间的膜厚一致；

第二电极层，所述第二电极层位于所述发光结构背离所述第一膜层的一侧。

在一种可能的实施方式中，所述平坦部的材料为量子点。

在一种可能的实施方式中，所述第一距离大于所述第二距离，所述平坦部在所述衬底基板的正投影与所述边缘部在所述衬底基板的正投影大致重合。

在一种可能的实施方式中，所述发光器件还包括具有第一开口的第一像素限定层，以及位于所述第一像素限定层背离所述衬底基板一侧具有第二开口的第二像素限定层，所述第二开口在所述衬底基板的正投影与所述第一开口在所述衬底基板的正投影至少部分重叠；

所述第一像素限定层对乙二醇，取代多环芳香碳氢化合物，二乙二醇，三乙二醇二甲醚，庚烷，甲苯，或异丙醇具有亲液性；所述第二像素限定层对乙二醇，取代多环芳香碳氢化合物，二乙二醇，三乙二醇二甲醚，庚烷，甲苯，或异丙醇具有疏液性。

在一种可能的实施方式中，所述第一距离小于所述第二距离，所述平坦部在所述衬底基板的正投影与所述中间部在所述衬底基板的正投影大致重合。

在一种可能的实施方式中，所述发光器件还包括具有第三开口的第三像素限定层；

所述第三像素限定层对乙二醇，取代多环芳香碳氢化合物，二乙二醇，三乙二醇二甲醚，庚烷，甲苯，或异丙醇具有输液性；所述第一膜层中与所述平坦部接触的膜层对乙二醇，取代多环芳香碳氢化合物，二乙二醇，三乙二醇二甲醚，庚烷，甲苯，或异丙醇具有疏液性。