[发明专利]一种贴片式压电抑振结构及其控制方法在审
| 申请号: | 202211266522.7 | 申请日: | 2022-10-17 |
| 公开(公告)号: | CN115596797A | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
| 发明(设计)人: | 祁瑞;王亮;朱春玲;金家楣;葛宇宁 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
| 主分类号: | F16F15/00 | 分类号: | F16F15/00 |
| 代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 刘辉 |
| 地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 贴片式 压电 结构 及其 控制 方法 | ||
1.一种贴片式压电抑振结构,其特征在于,包括若干设置在抑振对象上的抑振单元;
所述抑振单元包括压电体、压电传感器和控制模块;
所述压电体、压电传感器均采用压电材料,对称设置在抑振对象两侧,均沿厚度方向极化,当需要对抑振对象的纵向振动进行抑制时,压电体、压电传感器的极化方向相反;当需要对抑振对象的弯曲振动进行抑制时,压电体、压电传感器的极化方向相同;
所述控制模块包含N型mos管、NPN型三极管、P型mos管、PNP型三极管、第一二极管、第二二极管和调节电阻;
所述N型mos管的源极分别和P型mos管的源极、压电体靠近抑振对象的一侧相连后接地;
所述压电体远离抑振对象的一侧分别和N型mos管的漏极、P型mos管的漏极相连;
所述NPN型三极管的发射极和所述P型mos管的栅极相连,NPN型三极管的集电极分别和所述压电传感器靠近抑振对象的一侧、PNP型三极管的集电极相连后接地,NPN型三极管的基极和所述第一二极管的负极相连;
所述PNP型三极管的发射极和所述N型mos管的栅极相连,PNP型三极管的基极和所述第二二极管的正极相连;
所述第一二极管的正极分别和所述第二二极管的负极、调节电阻的一端相连;
所述调剂电阻的另一端和所述压电传感器远离抑振对象的一侧相连。
2.基于权利要求1所述的贴片式压电抑振结构的抑振方法,其特征在于,包含以下过程:
令N型mos管为负阈值开关,P型mos管为正阈值开关,NPN三极管和第一二极管组成正阈值比较器,PNP三极管和第二二极管组成负阈值比较器,当抑振对象受扰发生振动时,压电传感器由于形变发生正压电效应产生传感信号,传感信号影响着控制模块的元件进行以下周期性变化:
步骤1),当所述压电传感器的传感信号为正值且达到了正阈值比较器的阈值时,NPN三极管导通,正阈值开关闭合,压电体的电学边界由开路切换至短路状态,整个结构的等效刚度也由高刚度切换为低刚度;
步骤2),压电传感器的传感信号在达到正峰值后开始下降,当传感信号为正值且低于正阈值比较器设定的阈值,正阈值开关断开,压电体的电学边界由短路切换至开路状态,整个结构的等效刚度由低刚度切换为高刚度;
步骤3),压电传感器的传感信号在降为零后继续下降,当传感信号为负值且达到负阈值比较器的阈值时,PNP三极管导通,负阈值开关闭合,压电体的电学边界由开路切换至短路状态,整个结构的等效刚度由高刚度切换为低刚度;
步骤4),压电传感器的传感信号在达到负峰值后开始上升,当传感信号为负值且绝对值小于负阈值比较器的阈值时,负阈值开关断开,压电体的电学边界由短路切换至开路状态,整个结构的等效刚度也由低刚度切换为高刚度。
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