[发明专利]一种用于非标厚度硅片的量测方法及切片机

说明书

本发明公开了一种用于非标厚度硅片的量测方法及切片机，所述方法包括：提供切片机，所述切片机包括表面开有多个凹槽的导轮，所述多个凹槽包括第一槽距的凹槽以及第二槽距的凹槽；利用所述切片机生成多个硅片，包括多个非标厚度硅片以及至少一个监控硅片；利用量测机台对所述监控硅片进行量测。根据本发明提供的用于非标厚度硅片的量测方法及切片机，通过生成多个非标厚度硅片以及至少一个监控硅片，其中监控硅片的厚度未超出量测机台的量测范围，利用量测机台对所述监控硅片进行量测，以反映非标厚度硅片的量测情况。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种用于非标厚度硅片的量测方法。

背景技术

硅片是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。

在生产硅片时，利用切片机将硅晶棒切片以生成特定厚度的硅片，通常，硅片的厚度小于900μm，而在某些情况下，需要生产非标厚度的硅片，例如，硅片的厚度大于1000μm。然而，用于对硅片进行量测的量测机台是针对常规厚度的硅片设计的，非标厚度的硅片超出量测机台的量程。若增大量测设备的量程，则需要对设备进行升级，不仅升级费用高，而且升级所需配件的交期久。若减薄硅片厚度，则需额外增加研磨步骤，影响产能、浪费硅料。

因此，有必要提出一种用于非标厚度硅片的量测方法，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种用于非标厚度硅片的量测方法，包括：

提供切片机，所述切片机包括表面开有多个凹槽的导轮，所述多个凹槽包括第一槽距的凹槽以及第二槽距的凹槽；

利用所述切片机生成多个硅片，包括多个非标厚度硅片以及至少一个监控硅片；

利用量测机台对所述监控硅片进行量测。

进一步，所述非标厚度硅片的厚度超出所述量测机台的量测范围，所述监控硅片的厚度未超出所述量测机台的量测范围。

进一步，所述多个硅片包括两个或多个监控硅片，所述两个或多个监控硅片等间隔地分布在所述多个非标厚度硅片之间。

进一步，相邻的两个监控硅片之间间隔第一数量的非标厚度硅片。

进一步，所述第一槽距的凹槽用于生成所述非标厚度硅片，所述第二槽距的凹槽用于生成所述监控硅片。

进一步，所述第一槽距的凹槽和所述第二槽距的凹槽间隔设置，所述第二槽距的凹槽等间隔地设置在多个所述第一槽距的凹槽之间。

进一步，相邻的两个第二槽距的凹槽之间间隔第一数量的第一槽距的凹槽。

本发明还提供了一种切片机，包括表面开有多个凹槽的导轮，所述多个凹槽包括第一槽距的凹槽以及第二槽距的凹槽，其中，所述第一槽距的凹槽用于生成非标厚度硅片，所述第二槽距的凹槽用于生成监控硅片。

进一步，所述第一槽距的凹槽和所述第二槽距的凹槽间隔设置，所述第二槽距的凹槽等间隔地设置在多个所述第一槽距的凹槽之间。

进一步，相邻的两个第二槽距的凹槽之间间隔第一数量的第一槽距的凹槽。

根据本发明提供的用于非标厚度硅片的量测方法及切片机，通过生成多个非标厚度硅片以及至少一个监控硅片，其中监控硅片的厚度未超出量测机台的量测范围，利用量测机台对所述监控硅片进行量测，以反映非标厚度硅片的量测情况。

附图说明