[发明专利]一种金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器在审
| 申请号： | 202211247695.4 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115512875A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 冯科;张芝民;杨玉;漆锐;陈南菲;段青松;邓惠丹;谭庆 | 申请（专利权）人： | 中冶赛迪工程技术股份有限公司;中冶赛迪技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 杨柳岸 |
| 地址： | 400013*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 嵌入 式微 纳米 薄膜 热流 传感器 | ||
1.一种金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器，其特征在于，传感器包括保护层I(101)、保护层II(102)、导电种子层I(201)、导电种子层II(202)、粘结层I(301)、粘结层II(302)、绝缘层I、绝缘层II和传感层；
所述保护层I(101)的表面溅射有导电种子层I(201)；
所述粘结层I(301)溅射在导电种子层I(201)表面；
所述绝缘层I沉积在粘结层I(301)表面；
所述绝缘层I包括依次沉积的氧化铝绝缘层I(401)、氮化硅绝缘层I(402)和氧化铝绝缘层II(403)；
所述绝缘层I表面溅射有传感层；
所述传感层为热电偶回路，包括溅射在绝缘层I表面的第一传感回路和第二传感回路；
所述第一传感回路包括依次溅射的粘结层III(501)、金属传感层I(502)和粘结层IV(503)；
所述第二传感回路包括依次溅射的粘结层V(504)、金属传感层II(505)和粘结层VI(506)；
所述绝缘层II沉积在粘结层III(501)、粘结层V(504)和氧化铝绝缘层I(401)表面；
所述绝缘层II包括依次沉积的氧化铝绝缘层III(601)、氮化硅绝缘层II(602)和氧化铝绝缘层IV(603)；
所述粘结层II(302)溅射在氧化铝绝缘层IV(603)表面；
所述导电种子层II(202)溅射在粘结层II(302)表面；
所述保护层II(102)电镀在导电种子层II(202)之上，保护金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器。
2.根据权利要求1所述的金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器，其特征在于：所述传感层至少由两个热电偶回路串联以形成热电堆；每个热电偶回路均包括溅射在绝缘层I表面的第一传感回路和第二传感回路。
3.根据权利要求1所述的金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器，其特征在于：
所述保护层I(101)和保护层II(102)为电镀镍保护层；
所述粘结层I(301)、粘结层II(302)、粘结层III(501)、粘结层IV(503)、粘结层V(504)、粘结层VI(506)材料为钛；
所述导电种子层I(201)、导电种子层II(202)的材料为镍。
4.根据权利要求1所述的金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器，其特征在于：
粘结层I(301)、粘结层II(302)、粘结层III(501)、粘结层IV(503)、粘结层V(504)、粘结层VI(506)的厚度范围为5nm～50nm；
氧化铝绝缘层I(401)、氧化铝绝缘层II(403)、氧化铝绝缘层III(601)、氧化铝绝缘层IV(603)的厚度范围为500nm～1000nm；
氮化硅绝缘层I(402)、氮化硅绝缘层II(602)的厚度范围为750nm～1500nm；
金属传感层I(502)和金属传感层II(505)的厚度范围为100nm～900nm；
导电种子层I(201)、导电种子层II(202)的厚度范围为50nm～300nm。
5.根据权利要求2所述的金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器，其特征在于，氧化铝绝缘层I(401)与氧化铝绝缘层III(601)之间沉积有多组热电堆回路，以实现局部区域内的多点检测。
6.根据权利要求1所述的金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器，其特征在于，该传感器的外表面涂覆有环氧树脂。
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