[发明专利]一种微阵列芯片及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种微阵列芯片，其特征在于，所述微阵列芯片具有亲水性的反应孔及疏水性的非反应区域，所述反应孔的深度为20-50μm，所述非反应区域的疏水角为110°以上。

2.权利要求1所述的微阵列芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在二氧化硅芯片的非反应区域形成第一光刻胶层；

通过湿法腐蚀工艺除去所述二氧化硅芯片中反应区域的二氧化硅，形成反应孔；

对所述第一光刻胶层进行去除，得到目标芯片；

在所述目标芯片的反应孔的表面形成第二光刻胶层；

对所述目标芯片的非反应区域进行疏水化处理；

对所述第二光刻胶层进行去除，得到所述微阵列芯片。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在二氧化硅芯片的非反应区域形成第一光刻胶层，具体过程包括：

在所述二氧化硅芯片的表面形成正性光刻胶层；

采用具有与反应区域相对应的透光区域的掩膜，对所述正性光刻胶层进行曝光显影，在所述二氧化硅芯片的非反应区域形成第一光刻胶层。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，通过湿法腐蚀工艺除去所述二氧化硅芯片中反应区域的二氧化硅，形成反应孔，具体过程包括：

将非反应区域形成有所述第一光刻胶层的二氧化硅芯片置于氢氟酸溶液，通过所述氢氟酸溶液除去所述二氧化硅芯片中反应区域的二氧化硅，形成反应孔。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述目标芯片的反应孔的表面形成第二光刻胶层，具体过程包括：

在所述目标芯片的表面形成正性光刻胶层；

采用具有与反应孔相对应的非透光区域的掩膜，对所述正性光刻胶层进行曝光显影，在所述目标芯片的反应孔的表面形成第二光刻胶层。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述目标芯片的反应孔的表面形成第二光刻胶层，具体过程包括：

在所述目标芯片的表面形成负性光刻胶层；

采用具有与反应孔相对应的透光区域的掩膜，对所述负性光刻胶层进行曝光显影，在所述目标芯片的反应孔的表面形成第二光刻胶层。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对所述目标芯片的非反应区域进行疏水化处理，具体过程包括：

将反应孔形成有所述第二光刻胶层的目标芯片置于疏水溶剂，通过所述疏水溶剂对所述目标芯片的非反应区域进行疏水化处理。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述二氧化硅芯片的非反应区域形成第一光刻胶层之前，还包括对所述二氧化硅芯片进行镀膜处理，具体过程包括：采用真空磁控溅射技术在所述二氧化硅芯片的表面进行铬膜沉积。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述镀膜处理之前，还包括对所述二氧化硅芯片进行活化和清洗，具体过程包括：将所述二氧化硅芯片依次经过酸液清洗、碱液清洗和QDR清洗。

10.权利要求1所述的微阵列芯片在生物分子检测、药物筛选中的应用。