[发明专利]像素阵列基板

说明书

一种像素阵列基板，包括像素驱动电路、第一绝缘层、接垫组及调节结构。第一绝缘层设置于像素驱动电路上。接垫组电性连接至像素驱动电路。调节结构设置于第一绝缘层上且电性连接至接垫组。调节结构位于接垫组与像素驱动电路之间。调节结构包括第一调节部及第二调节部。第一调节部的至少一部分重叠于接垫组。第二调节部设置于第一调节部外，且与接垫组错开。第一调节部对激光的吸收率高于第二调节部对激光的吸收率。

技术领域

本发明是有关于一种像素阵列基板。

背景技术

随着显示技术的演进，具有高解析与薄型化的显示装置受到主流市场的喜爱。近几年来，由于发光二极管(Light-Emitting Diode；LED)元件的制程技术的突破，已发展出可将发光二极管元件以阵列排列制作出的微型发光二极管显示装置(Micro-LED display)或毫米等级的发光二极管显示装置等，其不需要设置液晶层(Liquid crystal)及彩色滤光片(Color filter)，而能进一步减少显示装置的厚度。此外，相较于有机发光二极管显示装置，微型发光二极管显示装置具有更省电、寿命更长的优势。

在目前微型发光二极管显示装置的制作过程中，需通过巨量转移(Masstransfer)将大量的发光二极管元件转置于像素阵列基板上。然而，现今的显示装置通常具有动辄百万计的像素，且发光二极管元件尺寸微小而难以精准地与像素阵列基板的接垫对位，容易因对位误差而造成发光二极管元件无法精准地置放于预定位置，进而造成发光二极管元件无法正常驱动的问题。特别是，利用激光焊接工序接合发光二极管元件与像素阵列基板的接垫时，因激光照射而产生的热能会导致像素阵列基板的热胀现象，使得发光二极管元件与像素阵列基板的接合更加困难。

发明内容

本发明提供一种像素阵列基板，能提升与发光二极管元件的接合良率。

本发明的像素阵列基板，包括基底、像素驱动电路、第一绝缘层、接垫组及调节结构。像素驱动电路设置于基底上。第一绝缘层设置于像素驱动电路上。接垫组电性连接至像素驱动电路。调节结构设置于第一绝缘层上且电性连接至接垫组。调节结构位于接垫组与像素驱动电路之间。调节结构包括第一调节部及第二调节部。第一调节部的至少一部分重叠于接垫组。第二调节部设置于第一调节部外，且与接垫组错开。第一调节部对激光的吸收率高于第二调节部对激光的吸收率。

在本发明的一实施例中，上述的第一调节部具有第一吸收区，第一吸收区重叠于接垫组，第一吸收区的面积大于接垫组的面积，且接垫组于基底上的垂直投影位于第一吸收区于基底上的垂直投影以内。

在本发明的一实施例中，上述的第一调节部更具有第二吸收区，第二吸收区位于第一吸收区周围且与第一吸收区具有一间距，且第一吸收区与第二吸收区连接。

在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板更包括第二绝缘层。调节结构位于第二绝缘层与第一绝缘层之间。第一调节部具有第一金属层，接触于第二绝缘层。第一调节部及第二调节部分别具有第二金属层的第一部分及第二部分。第一调节部的第一金属层位于第二绝缘层与第二金属层的第一部分之间。第二调节部的第二金属层的第二部分接触于第二绝缘层。第一金属层对激光的吸收率高于第二金属层对激光的吸收率。

在本发明的一实施例中，上述的第一调节部及第二调节部更分别具有第三金属层的第一部分及第二部分，第一调节部的第三金属层的第一部分、第一调节部的第二金属层的第一部分及第一调节部的第一金属层沿着远离基底的方向依序堆叠。第二调节部的第三金属层的第二部分及第二调节部的第二金属层的第二部分沿着远离基底的方向依序堆叠。

在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板更包括第二绝缘层。调节结构位于第二绝缘层与第一绝缘层之间。第一调节部具有第一金属层，接触于第二绝缘层。第二调节部具有金属氧化物层，接触于第二绝缘层。第一金属层对激光的吸收率高于金属氧化物层对激光的吸收率。