[发明专利]一种利用苯基硫脲双功能添加剂提高钙钛矿太阳能电池光电性能和稳定性的方法在审
| 申请号: | 202211226783.6 | 申请日: | 2022-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN115881848A | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
| 发明(设计)人: | 王桂强;张伟;毕佳宇 | 申请(专利权)人: | 渤海大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/06 |
| 代理公司: | 锦州辽西专利事务所(普通合伙) 21225 | 代理人: | 王佳佳 |
| 地址: | 121000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 利用 苯基 硫脲 功能 添加剂 提高 钙钛矿 太阳能电池 光电 性能 稳定性 方法 | ||
一种利用苯基硫脲双功能添加剂提高钙钛矿太阳能电池光电性能和稳定性的方法,该钙钛矿太阳能电池包括FTO玻璃基片、TiO2致密层、TiO2介孔层、CsPbIBr2钙钛矿膜层和碳电极,CsPbIBr2钙钛矿膜层制备如下:将PbBr2与CsI在溶于二甲基亚砜中,然后加入苯基硫脲溶解,得到前驱体溶液;在FTO玻璃片表面制备TiO2致密层和TiO2介孔层,预热,采用旋涂法将前驱体溶液旋涂到其TiO2介孔层表面,然后在150℃~300℃下,热处理,形成CsPbIBr2钙钛矿膜层。优点是:方法简单,容易操作,通过提高CsPbIBr2钙钛矿膜的质量和稳定性,制备稳定的高效率CsPbIBr2钙钛矿太阳能电池。
技术领域
本发明涉及一种利用苯基硫脲双功能添加剂提高钙钛矿太阳能电池光电性能和稳定性的方法,特别涉及一种利用苯基硫脲双功能添加剂提高无机CsPbIBr2钙钛矿太阳能电池光电性能和稳定性的方法。
背景技术
无机CsPbIBr2钙钛矿由于具有较高的稳定性和2.03eV合适的带隙,被认为是一种较有前景的太阳能电池吸光材料,可广泛应用于叠层和半透明太阳能电池。2016年,采用双源热蒸发法制备的CsPbIBr2钙钛矿太阳能电池光电转换效率为4.7%。同年,采用喷涂溶液沉积法制备的CsPbIBr2钙钛矿太阳能电池效率达到6.3%。2018年,Zhu等采用分子交换法制备了致密的CsPbIBr2钙钛矿膜,所组装的碳基CsPbIBr2钙钛矿太阳能电池的光电转换效率达到9.16%。2021年,Tang等在碳基CsPbIBr2钙钛矿太阳能电池中引入(NiCo)1-yFeyOx/氧化石墨混合体系以提高空穴分离和传输效率,使碳基CsPbIBr2钙钛矿太阳能电池的效率提高到10.95%。
虽然,CsPbIBr2钙钛矿太阳能电池的研究取得了较大的进展,但其效率还明显偏低,与理论值相比还有较大差距。CsPbIBr2钙钛矿太阳能电池光电转换效率偏低的一个关键原因是所制备的CsPbIBr2钙钛矿膜质量较差,存在大量的缺陷,从而在CsPbIBr2钙钛矿太阳能电池内引起严重的电荷复合。同时,CsPbIBr2钙钛矿膜易受水汽的影响发生相变,这也降低了CsPbIBr2钙钛矿太阳能电池的性能。因此,提高CsPbIBr2钙钛矿膜质量和稳定性成为进一步提高CsPbIBr2钙钛矿太阳能电池光电性能和稳定性的关键。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种利用苯基硫脲双功能添加剂提高钙钛矿太阳能电池光电性能和稳定性的方法,方法简单,容易操作,通过提高CsPbIBr2钙钛矿膜的质量和稳定性,制备稳定的高效率CsPbIBr2钙钛矿太阳能电池。
本发明的技术方案是:
一种利用苯基硫脲双功能添加剂提高钙钛矿太阳能电池光电性能和稳定性的方法,所述钙钛矿太阳能电池包括FTO玻璃基片,在FTO玻璃基片上依次设有TiO2致密层、TiO2介孔层、CsPbIBr2钙钛矿膜层和碳电极,其特殊之处在于:所述CsPbIBr2钙钛矿膜层的制备过程如下:
(1)配制CsPbIBr2钙钛矿前驱体溶液
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于渤海大学,未经渤海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211226783.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





