[发明专利]晶体制备坩埚在审
| 申请号： | 202211217805.2 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115386951A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张乃霁;彭友谊 | 申请（专利权）人： | 深圳腾睿微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 欧国聪 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 制备 坩埚 | ||
1.一种晶体制备坩埚，包括埚体和盖合于所述埚体的上盖，其特征在于，所述埚体包括原料区及结晶区，所述原料区位于所述结晶区的下方，所述结晶区的侧壁设有测温组件和生长监控组件，所述埚体的侧壁设置有加热线圈，当在进行晶体生长时，所述测温组件用于检测所述结晶区晶体的温度，所述生长监控组件用于采集所述结晶区晶体的生长数据。
2.如权利要求1所述的晶体制备坩埚，其特征在于，所述结晶区的侧壁开设有两个孔槽，所述两个孔槽相对所述埚体的中轴线对称，所述测温组件为两个，分别设置于所述两个孔槽内。
3.如权利要求2所述的晶体制备坩埚，其特征在于，所述孔槽设置有透视窗，所述生长监控组件为两个，分别设置于所述透视窗上。
4.如权利要求3所述的晶体制备坩埚，其特征在于，所述上盖为H型结构，所述结晶区的晶体附着于所述上盖的底部，所述孔槽设置于靠近所述上盖的底部。
5.如权利要求1所述的晶体制备坩埚，其特征在于，还包括驱动杆，所述驱动杆与所述上盖的顶部连接，用于驱动所述上盖相对所述埚体旋转。
6.如权利要求5所述的晶体制备坩埚，其特征在于，还包括质量检测组件，设置于所述上盖与所述驱动杆之间，用于实时监测所述晶体的重量。
7.如权利要求1所述的晶体制备坩埚，其特征在于，所述加热线圈包括第一线圈和第二线圈，所述第一线圈绕设于所述埚体的原料区，所述第二线圈绕设于所述埚体的结晶区，所述第一线圈的发热功率高于所述第二线圈的发热功率。
8.如权利要求1所述的晶体制备坩埚，其特征在于，所述埚体的横截面为圆形，所述结晶区的侧壁开设有四个孔槽，任相邻两个孔槽与所述埚体中心的连线夹角为90°。
9.如权利要求8所述的晶体制备坩埚，其特征在于，所述孔槽设置有透视窗，所述生长监控组件为四个，一所述透视窗设置有一所述生长监控组件，所述测温组件为四个，一所述孔槽设置有一所述测温组件。
10.如权利要求1至9任一项所述的晶体制备坩埚，其特征在于，所述生长监控组件为图像/视频采集组件。
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