[发明专利]一种异质结太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：它包括如下步骤，

A，对半导体基板进行双面制绒；

B，在半导体基板表面上形成隧穿氧化层；

C，在隧穿氧化层上形成N型多晶硅层；

D，在半导体基板向光面的N型多晶硅层上形成掩膜层；

E，从半导体基板背光面进行等离子处理。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤B的具体方法为，在半导体基板表面上采用硝酸氧化工艺、臭氧氧化工艺、真空等离子体辅助氧化工艺或热氧化工艺形成隧穿氧化层。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤C的具体方法为，在隧穿氧化层上形成第一本征多晶硅层，采用扩散退火工艺对第一本征多晶硅层进行磷掺杂，以形成N型多晶硅层和磷硅玻璃层，之后使用含氟酸性溶液去除磷硅玻璃层；或者，采用LPCVD工艺，在气氛中引入磷源，进行原位掺杂生长，形成N型多晶硅层。

4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤D的具体方法为，在N型多晶硅层上通过等离子体化学气相沉积或高温化学气相沉积技术沉积氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的至少一种膜层，以形成掩膜层。

5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述掩膜层厚度为30-150nm。

6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤C和步骤D之间还进行了N型微晶硅叠层沉积步骤，具体方法为，在N型多晶硅层上形成N型微晶硅叠层，所述N型微晶硅叠层包含一层以上的含氧型微晶层和一层以上的非含氧型微晶层。

7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述N型微晶叠层包括由向光面至背光面依次叠设的非含氧型微晶层以及含氧型微晶层，其对应的膜厚比例为(0.5-1.5)：1。

8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：它还包括如下步骤，

F，去除半导体基板背光面上的N型多晶硅层和隧穿氧化层；

G，去除掩膜层；

H，在半导体基板背光面上形成第二本征非晶硅层；

I，在第二本征非晶硅层上形成P型掺氧微晶硅层。

9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤G的具体方法为，通过含氟的酸性溶液去除掩膜层。

10.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤I的具体方法为，采用等离子体增强化学气相沉积技术或热丝化学气相沉积技术形成由一层以上的含氧型微晶层和一层以上的非含氧型微晶层进行叠合构成的P型掺氧微晶硅层。

11.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述隧穿氧化层的厚度为1-2nm；所述N型多晶硅层的厚度为10-50nm；所述P型掺氧微晶硅层的厚度为10-30nm。

12.根据权利要求1-11任意一项所述的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤E中的等离子处理为，将氢气或含有氢气的混合气体离子化，从半导体基板背光面穿入对半导体基板的表面进行等离子处理。

13.根据权利要求12所述的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述含有氢气的混合气体为氢气与氮气任意比例的混合气体、氢气与氨气任意比例的混合气体或氢气与氩气任意比例的混合气体。