[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202211200411.6 | 申请日: | 2022-09-29 |
公开(公告)号: | CN115411065A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 王永磊;顾小兵;刘童;何博;何永才;丁蕾;董鑫;张洪旭;刘杨;徐希翔 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L31/0236;H01L31/0747;H01L31/20;H01L51/42 |
代理公司: | 北京唐颂永信知识产权代理有限公司 11755 | 代理人: | 刘伟;安转转 |
地址: | 710199 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
本申请公开了一种太阳能电池,包括下电池和上电池,在所述下电池与所述上电池之间设置有复合层,所述复合层完全覆盖所述下电池的一侧表面;所述下电池在靠近所述复合层的一侧表面具有绒面结构,所述绒面结构的高度为≤2μm;所述复合层背离所述下电池的一侧表面,其至少在所述下电池绒面结构顶部正上方的位置为光滑的平面。本申请还提供一种太阳能电池的制备方法。本申请提出的太阳能电池,由于下电池具有小绒面陷光结构,并且中间复合层具有光滑的平面,使得制备上电池的钙钛矿吸收层更为简单,并且还可以很好的控制钙钛矿吸收层中的晶体的生长,从而提高太阳能电池的性能。
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池及其制备方法。
背景技术
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池作为新型高效率、低成本太阳能电池在全世界范围内被广泛关注。短短几年时间里,单结小面积钙钛矿电池的光电转换效率从2009年的3.8%迅速攀升到25%以上,钙钛矿/硅异质结叠层电池的光电转换效率也达到了29%以上。迅猛的效率发展使其成为当下光伏研究机构及企业的重点关注对象。与传统薄膜太阳电池(铜铟镓硒、碲化镉等)相比,钙钛矿太阳电池具有高转换效率、简单制备工艺以及低成本潜力等优势,并成为最具产业化前景的薄膜太阳电池技术。通过调节前驱体溶液的成分配比,可实现太阳电池光谱响应截止波长的调控,使之成为最理想的顶电池吸收层材料。
硅异质结太阳电池技术具有工艺简单(制绒清洗→非晶硅沉积→TCO沉积→银电极印刷)、制备温度低(<220℃)、转换效率高(>25%)、对称结构(可双面)等优势,被认为是PERC电池之后的第三代电池技术。硅异质结电池高的红外波段吸收、强的弱光效应以及可匹配p-i-n的结构优势,使其成为最佳的底电池选择之一。以钙钛矿电池(顶电池)与硅基异质结电池(底电池)形成“钙钛矿/硅基异质结”叠层电池结构,实现太阳光谱的分配吸收,有望获得30%以上的转换效率。但是目前的硅异质结太阳电池很难做到既有陷光结构,又具有较高的电池性能。
发明内容
针对上述问题,本申请提出了一种叠层太阳能电池,由于下电池具有小绒面陷光结构,并且中间复合层具有光滑的平面,使得制备上电池的钙钛矿吸收层更为简单,并且还可以很好的控制钙钛矿吸收层中的晶体的生长,从而提高太阳能电池的性能。
本申请的技术方案如下:
本申请提供一种太阳能电池,包括下电池和上电池,在所述下电池与所述上电池之间设置有复合层,所述复合层完全覆盖所述下电池的一侧表面;
所述下电池在靠近所述复合层的一侧表面具有绒面结构,所述绒面结构的高度为≤2μm;
所述复合层背离所述下电池的一侧表面,其至少在所述下电池绒面结构顶部正上方的部分位置为光滑平面。
进一步地,所述光滑平面的光滑度为≤500nm。
进一步地,所述复合层在靠近所述下电池的一侧表面与所述绒面结构共形。
进一步地,所述复合层的最大厚度≥绒面结构的高度时,所述复合层背离所述下电池的一侧的整个表面均为光滑的平面。
进一步地,所述复合层的最大厚度为绒面结构的高度时,所述复合层背离所述下电池的一侧表面,其在所述下电池绒面结构顶部正上方的位置为光滑的平面,其他部分均与所述下电池的绒面结构共形。
进一步地,在所述复合层背离所述下电池的一侧表面,与所述下电池的绒面结构共形的表面具有凹陷区域,且最大凹陷处与所述复合层的光滑平面的水平高度差不超过1μm。
进一步地,所述复合层为掺硼氧化锌层。
进一步地,所述下电池为硅基电池,所述上电池为钙钛矿电池。
进一步地,所述绒面结构选自柱状、锥状、台状、弧形槽或弧形凸起中的一种或两种以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的