[发明专利]一种基于VO2在审

专利信息
申请号: 202211200379.1 申请日: 2022-09-29
公开(公告)号: CN115566439A 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 张勇;朱华利;刘广儒 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01Q17/00 分类号: H01Q17/00;H01Q15/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 邓黎
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 vo base sub
【权利要求书】:

1.一种基于VO2的圆环形多频可调太赫兹吸波器,其特征在于,包括自下而上依次设置的反射层、介质层和相变材料层;所述相变材料层为旋转对称图形,包括多个周期性方形阵列排布的VO2圆环形贴片,相邻VO2圆环形贴片之间通过矩形贴片连接。

2.根据权利要求1所述基于VO2的圆环形多频可调太赫兹吸波器,其特征在于,所述VO2圆环形贴片的内径为45~65μm,外径为170~190μm,厚度为0.2~0.5μm。

3.根据权利要求1所述基于VO2的圆环形多频可调太赫兹吸波器,其特征在于,所述矩形贴片的长为15~25μm,宽为16~24μm。

4.根据权利要求1所述基于VO2的圆环形多频可调太赫兹吸波器,其特征在于,所述矩形贴片与VO2圆环形贴片之间的夹角为95°~120°。

5.根据权利要求1所述基于VO2的圆环形多频可调太赫兹吸波器,其特征在于,所述介质层的厚度为四分之一波长。

6.根据权利要求1所述基于VO2的圆环形多频可调太赫兹吸波器,其特征在于,所述介质层的材料为石英。

7.根据权利要求1所述基于VO2的圆环形多频可调太赫兹吸波器,其特征在于,所述反射层的材料为铜或金,厚度为2~4μm。

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