[发明专利]一种磁码盘复合薄膜及制备方法

权利要求书

1.一种磁码盘复合薄膜，所述复合薄膜沉积在铝合金基底上，其特征在于，薄膜结构式为{(Nb/AlNiCo₉)_n}/Ti，其中，Nb层厚度为5～10nm，插入功能层和基体间以细化晶粒、提高矫顽力；AlNiCo₉层厚度为30～50nm，Ti层厚度为5nm，作为外层保护层，保证薄膜不会与Fe原子形成非磁性相导致矫顽力的降低；且各层通过磁控溅射直流溅射进行依次沉积。

2.根据权利要求1所述的磁码盘复合薄膜，其特征在于，n值为2～20。

3.根据权利要求1所述的磁码盘复合薄膜，其特征在于，所述磁码盘复合薄膜材料的矫顽力在550Oe以上，剩磁在0.5T以上。

4.一种磁码盘复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

准备铝合金基体，并置于磁控溅射室中；

设计薄膜结构为{(Nb/AlNiCo₉)_n}/Ti；采用直流溅射法，以Nb靶在基体上溅射5～10nm厚的Nb层，再以AlNiCo₉靶溅射30～50nm的AlNiCo₉，根据n值的选择重复上述溅射过程；最后以Ti靶溅射5nm Ti层；

溅射完成后，放置于750℃的真空退火炉中退火30～60分钟。

5.根据权利要求4所述的磁码盘复合薄膜的制备方法，其特征在于，n为2～20。

6.根据权利要求4所述的磁码盘复合薄膜的制备方法，其特征在于，真空退火炉中真空度为1×10^-5Pa。