[发明专利]半导体制造装置用部件在审
| 申请号： | 202211197255.2 | 申请日： | 2022-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN116504706A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 井上靖也;久野达也;长江智毅;小木曾裕佑;要藤拓也 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 部件 | ||
1.一种半导体制造装置用部件，其中，具备：
陶瓷板，该陶瓷板在上表面具有晶片载放面；以及
多孔质插塞，该多孔质插塞配置于沿着上下方向贯穿所述陶瓷板的插塞插入孔，且容许气体流通，
所述多孔质插塞具有：在所述晶片载放面露出的第一多孔质部、以及上表面由所述第一多孔质部覆盖的第二多孔质部，
所述第一多孔质部与所述第二多孔质部相比，纯度高且厚度薄，
所述第二多孔质部与所述第一多孔质部相比，气孔率高。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用部件，其中，
所述第一多孔质部为喷镀膜。
3.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件，其中，
所述插塞插入孔在内周面具有内螺纹部，
所述多孔质插塞在外周面具有旋合于所述内螺纹部的外螺纹部。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体制造装置用部件，其中，
所述第一多孔质部为上底大于下底的倒圆锥台状。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体制造装置用部件，其中，
所述第二多孔质部具有自上而下扩径的扩径部。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的半导体制造装置用部件，其中，具备：
导电性基材，该导电性基材设置于所述陶瓷板的下表面；以及
连通孔，该连通孔设置于所述导电性基材，且与所述多孔质插塞连通，
所述第二多孔质部的下表面位于所述连通孔的内部。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体制造装置用部件，其中，
所述晶片载放面具有对晶片进行支撑的大量小突起，
所述多孔质插塞的所述第一多孔质部的上表面位于比所述小突起的上表面低的位置。
8.根据权利要求7所述的半导体制造装置用部件，其中，
所述多孔质插塞的所述第一多孔质部的上表面位于与所述晶片载放面的未设置所述小突起的基准面相同的高度、或者位于以0.5mm以下的范围低于所述基准面的位置。
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