[发明专利]一种旋光晶体透过率测量装置及测量方法

权利要求书

1.一种旋光晶体透过率测量装置，其特征在于，包括：单色器、退偏器、可控旋光器件、光电探测器和控制器；

所述单色器、退偏器、可控旋光器件和光电探测器沿光束传播方向依次设置，其中，所述单色器靠近光源一侧；

所述单色器、可控旋光器件和光电探测器分别与所述控制器通讯连接；

待测旋光晶体置于所述退偏器和可控旋光器件之间的光路中，所述待测旋光晶体对入射的不完全退偏光束改变其偏振态，所述可控旋光器件用于旋转所述偏振态；

所述控制器控制所述单色器产生预设波长的单色光，所述单色光经过所述退偏器后不完全退偏地照射至待测旋光晶体，所述待测旋光晶体对入射的不完全退偏光束改变其偏振态，所述控制器控制所述可控旋光器件旋转所述偏振态，并同步控制所述光电探测器在其采样周期内对经偏振态旋转的光束进行采样以获得测量光束，其中，在所述光电探测器的采样周期内，所述控制器控制所述可控旋光器件旋转所述偏振态的旋转角度为90°的N倍，N为大于等于1的正整数；

所述控制器根据经过待测旋光晶体的测量光束和未经过待测旋光晶体的参考光束获得待测旋光晶体的透过率。

2.如权利要求1所述的旋光晶体透过率测量装置，其特征在于，所述可控旋光器件为磁光调制器。

3.如权利要求2所述的旋光晶体透过率测量装置，其特征在于，所述磁光调制器的控制电压根据所述单色器产生的单色光的预设波长以及所述磁光调制器在所述光电探测器的采样周期内旋转所述偏振态的所述旋转角度而确定，使得所述磁光调制器根据所述控制电压在所述采样周期内将所述偏振态旋转N次。

4.如权利要求3所述的旋光晶体透过率测量装置，其特征在于，所述控制器内预先设置有所述单色器、磁光调制器和光电探测器的参数配置列表，所述参数配置列表内设有：光电探测器的采样周期、单色器产生的单色光的预设波长、及在所述采样周期下，与所述预设波长对应设置的磁光调制器的控制电压。

5.如权利要求4所述的旋光晶体透过率测量装置，其特征在于，所述参数配置列表内预先设置多种不同的预设波长，且每一种预设波长对应设置多个不同的控制电压。

6.如权利要求3所述的旋光晶体透过率测量装置，其特征在于，所述磁光调制器旋转所述偏振态的旋转角速度大于所述光电探测器的采样速度。

7.一种利用如权利要求1-6任一项所述的旋光晶体透过率测量装置测量旋光晶体透过率的测量方法，其特征在于，包括步骤：

将待测旋光晶体置于退偏器和可控旋光器件之间的光路中；

控制光源发射光束，控制单色器产生预设波长的单色光，所述单色光经过所述退偏器后不完全退偏地照射至待测旋光晶体，所述待测旋光晶体对入射的不完全退偏光束改变其偏振态；

控制所述可控旋光器件旋转所述偏振态，并同步控制所述光电探测器在其采样周期内对经偏振态旋转的光束进行采样以获得测量光束；

根据经过待测旋光晶体的测量光束和未经过待测旋光晶体的参考光束获得待测旋光晶体的透过率。

8.如权利要求7所述的测量方法，其特征在于，在所述光电探测器的采样周期内，控制所述可控旋光器件旋转所述偏振态的旋转角度为90°的N倍，N为大于等于1的正整数，使得所述可控旋光器件在所述采样周期内将所述偏振态旋转N次。

9.如权利要求8所述的测量方法，其特征在于，所述可控旋光器件为磁光调制器，还包括根据所述单色器产生的单色光的预设波长以及所述磁光调制器在所述光电探测器的采样周期内旋转所述偏振态的所述旋转角度确定所述磁光调制器的控制电压的步骤，使得所述磁光调制器根据所述控制电压在所述采样周期内将所述偏振态旋转N次。

10.如权利要求9所述的测量方法，其特征在于，还包括预先设置单色器、磁光调制器和光电探测器的参数配置列表的步骤，所述参数配置列表内设有：光电探测器的采样周期、单色器产生的单色光的预设波长、及在所述采样周期下，与所述预设波长对应设置的磁光调制器的控制电压。