[发明专利]一种正端充放电的电池保护芯片及系统在审
申请号: | 202211191470.1 | 申请日: | 2022-09-28 |
公开(公告)号: | CN115800424A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 陈钢;朱治鼎;王蒙 | 申请(专利权)人: | 深圳市创芯微微电子有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02H7/18 |
代理公司: | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 张美君 |
地址: | 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 正端充 放电 电池 保护 芯片 系统 | ||
1.一种正端充放电的电池保护芯片,其特征在于,所述电池保护芯片包括驱动电路,所述驱动电路包括充电控制支路,所述充电控制支路的过充电保护输出端用于连接设置在电池的正端充电电路上的充电开关管;
所述充电控制支路包括上拉单元和下拉单元;
所述上拉单元包括第一PMOS管和第一限流元件,所述第一PMOS管的源极用于连接所述正端充电电路,以获取所述正端充电电路的充电电压,所述第一PMOS管的栅极用于连接所述电池的电压检测电路,以获取所述电池的电池电压,所述第一PMOS管的漏极通过所述第一限流元件连接所述过充电保护输出端;
所述下拉单元包括第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,所述第二PMOS管的源极用于连接所述电压检测电路,所述第二PMOS管的栅极连接基准电压;所述第一NMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极,所述第一NMOS管的漏极用于连接所述正端充电电路;所述第二NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的漏极,所述第二NMOS管的漏极连接所述过冲保护输出端;所述第二PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的源极以及所述第二NMOS管的源极均接地;
当所述电池电压小于所述基准电压与所述第二PMOS管的开启电压的和,且所述充电电压大于所述电池电压时,所述第二NMOS管的下拉大于所述第一PMOS管的上拉,使得所述过充电保护输出端为低电平。
2.根据权利要求1所述的电池保护芯片,其特征在于,所述上拉单元还包括防倒灌元件,所述第一PMOS管的漏极通过所述第一限流元件连接所述防倒灌元件的输入端,所述防倒灌元件的输出端连接所述过充电保护输出端;
所述防倒灌元件为第三PMOS管或者二极管,若所述防倒灌元件为所述第三PMOS管,则所述第三PMOS管的漏极连接所述第一限流元件,所述第三PMOS管的源极和栅极均连接所述过充电保护输出端;或者若所述防倒灌元件为所述二极管,则所述二极管的阳极连接所述第一限流元件,所述二极管的阴极连接所述过充电保护输出端。
3.根据权利要求1所述的电池保护芯片,其特征在于,所述下拉单元还包括第二限流元件,所述第二PMOS管的漏极通过所述第二限流元件接地;
所述第二限流元件为第三NMOS管或者第一电阻,若所述第二限流元件为所述第三NMOS管,则所述第二PMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的漏极,所述第三NMOS管的源极和栅极均接地;或者若所述第二限流元件为所述第一电阻,则所述第二PMOS管的漏极通过所述第一电阻接地。
4.根据权利要求1所述的电池保护芯片,其特征在于,所述下拉单元还包括第三限流元件,所述第一NMOS管的漏极通过所述第三限流元件用于连接所述正端充电电路;
所述第三限流元件为第四NMOS管或者第二电阻,若所述第三限流元件为所述第四NMOS管,则所述第一NMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的源极和栅极,所述第四NMOS管的漏极用于连接所述正端充电电路;或者若所述第三限流元件为所述第二电阻,则所述第一NMOS管的漏极通过所述第一电阻用于连接所述正端充电电路。
5.根据权利要求1所述的电池保护芯片,其特征在于,所述充电控制支路还包括第一CMOS电路,所述第一CMOS电路的输出为所述过充电保护输出端,所述第一CMOS电路的输入用于连接所述电池的逻辑控制电路;
所述驱动电路还包括放电控制支路,所述放电控制支路包括第二CMOS电路,所述第二CMOS电路的输入用于连接所述逻辑控制电路,所述第二CMOS电路的输出为过放电保护输出端,所述过放电保护输出端用于连接所述电池的正端放电电路上的放电开关管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市创芯微微电子有限公司,未经深圳市创芯微微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211191470.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。