[发明专利]由密封腔体底切的光学组件

权利要求书

1.一种结构，其特征在于，包括：

衬底，包括密封腔体；

光学组件；以及

介电层，位于该光学组件与该密封腔体间，

其中，该光学组件垂直位于该衬底及该介电层上方，且该光学组件与位于该衬底中的该密封腔体重叠。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该光学组件为边缘耦合器。

3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该介电层及该衬底共同围绕该密封腔体。

4.如权利要求3所述的结构，其特征在于，该介电层包括多个开口以及堵塞该多个开口的多个塞。

5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该密封腔体包括第一腔室及第二腔室。

6.如权利要求5所述的结构，其特征在于，该光学组件相对于该第一腔室及该第二腔室居中。

7.如权利要求5所述的结构，其特征在于，该密封腔体具有第一端及第二端，该第一腔室具有弯曲的第一侧壁，该第二腔室具有弯曲的第二侧壁，且该第一侧壁与该第二侧壁相交于脊，该脊从该第一端延伸至该第二端。

8.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该密封腔体具有第一端及第二端，且该密封腔体在该第一端与该第二端间在形状上变化。

9.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该介电层包括多个开口以及堵塞该多个开口的多个塞。

10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，该多个开口以第一行及第二行布置，且该光学组件横向布置于该第一行与该第二行间。

11.如权利要求10所述的结构，其特征在于，在该第一行中的该多个开口具有第一线性布置，且在该第二行中的该多个开口具有第二线性布置。

12.如权利要求10所述的结构，其特征在于，该密封腔体具有第一端及第二端，且在该第一行中的该多个开口以一间距与在该第二行中的该多个开口隔开，该间距沿在该第一端与该第二端间的方向变化。

13.如权利要求10所述的结构，其特征在于，该密封腔体具有第一端及第二端，且在该第一行中的该多个开口以一间距与在该第二行中的该多个开口隔开，该间距沿从该第一端至该第二端的方向增加。

14.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该光学组件包括单晶硅。

15.一种方法，其特征在于，包括：

形成光学组件；以及

在衬底中形成密封腔体，

其中，介电层设置于该光学组件与该密封腔体间，该光学组件垂直位于该衬底及该介电层上方，且该光学组件与位于该衬底中的该密封腔体重叠。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，在形成该光学组件后形成该密封腔体。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，在该介电层下方的该衬底中形成该密封腔体包括：

图案化多个开口，该多个开口穿过该介电层至该衬底；以及

利用等向性蚀刻工艺蚀刻该衬底，以在该介电层下方形成腔体。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括：

在各开口中形成由介电材料构成的塞，以密封该腔体并定义该密封腔体。

19.如权利要求17所述的方法，其特征在于，该多个开口以第一行及第二行布置，且该光学组件横向布置于该第一行与该第二行间。

20.如权利要求15所述的方法，其特征在于，该光学组件为边缘耦合器。