[发明专利]相位调制装置及其制备方法、相位调制设备

权利要求书

1.一种相位调制装置，其特征在于，包括基底、设置在所述基底上的波导层以及设置在所述波导层远离所述基底一侧的相位调制层；所述相位调制层包括相对设置的控制电极以及夹设在所述控制电极之间的液晶层；所述波导层在所述基底上的正投影位于所述液晶层在所述基底上的正投影的范围内，所述控制电极在所述基底上的正投影位于所述波导层在所述基底上的正投影的两侧。

2.根据权利要求1所述的相位调制装置，其特征在于，所述波导层包括氮化硅波导。

3.根据权利要求1所述的相位调制装置，其特征在于，所述基底的材料包括氧化硅。

4.根据权利要求1所述的相位调制装置，其特征在于，所述控制电极在所述基底上的正投影位于所述基底的相对两侧，所述波导层在所述基底上的正投影呈条状，所述波导层的延伸方向与所述控制电极的延伸方向相同。

5.根据权利要求4所述的相位调制装置，其特征在于，在垂直于所述基底的平面内，所述波导层的截面呈矩形，所述波导层的宽度为：大于或等于200纳米且小于或等于500纳米，所述波导层的厚度为：大于或等于150纳米且小于或等于300纳米。

6.根据权利要求5所述的相位调制装置，其特征在于，在垂直于所述基底的平面内，所述液晶层的截面呈矩形，所述液晶层的厚度为：大于或等于5微米且小于或等于20微米。

7.根据权利要求1所述的相位调制装置，其特征在于，所述基底包括凹槽，所述波导层填充在所述凹槽内。

8.根据权利要求1所述的相位调制装置，其特征在于，所述相位调制装置还包括位于所述相位调制层远离所述基底一侧的盖板，所述相位调制层在所述基底上的正投影位于所述盖板在所述基底上的正投影的范围内。

9.根据权利要求8所述的相位调制装置，其特征在于，所述盖板的材料包括氧化硅。

10.一种相位调制装置的制备方法，其特征在于，包括：在基底上形成波导层，在所述波导层远离所述基底的一侧形成相位调制层；其中，所述相位调制层包括相对设置的控制电极以及夹设在所述控制电极之间的液晶层，所述波导层在所述基底上的正投影位于所述液晶层在所述基底上的正投影的范围内，所述控制电极在所述基底上的正投影位于所述波导层在所述基底上的正投影的两侧。

11.一种相位调制设备，其特征在于，包括如上所述的至少一个相位调制装置。

12.根据权利要求11所述的相位调制设备，其特征在于，所述至少一个相位调制装置沿第一方向依次排列，所述相位调制装置的所述控制电极沿所述第一方向相对设置。

13.根据权利要求11所述的相位调制设备，其特征在于，所述至少一个相位调制装置沿第一方向和第二方向依次排列，所述第一方向和所述第二方向交叉；所述相位调制装置的所述控制电极沿所述第一方向相对设置，在沿所述第二方向上，相邻的所述相位调制装置之间设置有绝缘层。

14.根据权利要求13所述的相位调制设备，其特征在于，所述相位调制设备还包括驱动芯片，所述驱动芯片与所述相位调制装置连接，设置为控制所述相位调制装置的控制电极的电压。

15.根据权利要求14所述的相位调制设备，其特征在于，所述相位调制设备还包括至少一个开关单元以及沿所述第一方向设置的多条行扫描线，所述开关单元的一端与所述相位调制装置连接，所述开关单元的另一端与所述相位调制装置所在行的所述行扫描线连接；所述行扫描线与所述驱动芯片连接。