[发明专利]一种硅基粉体及其制备方法在审
| 申请号： | 202211164598.9 | 申请日： | 2022-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN115448315A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 董仕轩;黄振 | 申请（专利权）人： | 江西汉可泛半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/027 | 分类号： | C01B33/027 |
| 代理公司： | 南昌贤达专利代理事务所(普通合伙) 36136 | 代理人： | 潘金凤 |
| 地址： | 332020 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅基粉体 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基粉体的制备方法，其特征在于，在热丝CVD的腔体中通入含有硅烷的反应气体，控制气压≥5Pa，热丝通电升温至1000-2200℃，反应生成硅基粉；然后将硅基粉收集并进行热处理，制得。
2.根据权利要求1所述的一种硅基粉体的制备方法，其特征在于，所述反应气体还包括掺杂气体和辅助气体。
3.根据权利要求2所述的一种硅基粉体的其制备方法，其特征在于，所述掺杂气体为磷烷、乙硼烷、二氧化碳、一氧化二氮、氨气、氮气的至少一种。
4.根据权利要求2所述的一种硅基粉体的制备方法，其特征在于，所述硅烷：掺杂气体的体积流量比例为100:0.01-20。
5.根据权利要求1所述的一种硅基粉体的制备方法，其特征在于，所述气压控制在5-1000Pa。
6.根据权利要求1所述的一种硅基粉体的制备方法，其特征在于，所述热处理温度为200-1000℃，热处理时间为1-120min。
7.根据权利要求2所述的一种硅基粉体的制备方法，其特征在于，所述辅助气体为氩气、氮气或氢气。
8.一种硅基粉体，其特征在于，采用如权利要求1-7任一所述的制备方法制得。
9.根据权利要求8所述的一种硅基粉体，其特征在于，所述硅基粉体的粒度为10-1000nm。
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