[发明专利]晶体生长缺陷检测方法、装置、计算机设备和存储介质

权利要求书

1.一种晶体生长缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：

从晶体生长炉的不同侧获取炉中晶体的生长图像；

将不同侧的所述生长图像分别输入预先训练的位置识别模型和缺陷识别模型，得到晶体生长炉中每片晶体的缺陷检测结果，所述缺陷检测结果至少包括每片晶体的位置信息和缺陷信息；

根据所述位置信息和所述缺陷信息，确定晶体生长炉中每片晶体当前的生长状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从晶体生长炉的不同侧获取炉中晶体的生长图像包括：

从晶体生长炉的相对两侧分别获取炉中晶体的所述生长图像，其中，相对两侧的所述生长图像中晶体部分重叠。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将不同侧的所述生长图像分别输入预先训练的位置识别模型和缺陷识别模型，得到晶体生长炉中每片晶体的缺陷检测结果包括：

将不同侧的所述生长图像分别输入所述位置识别模型和缺陷识别模型，经所述位置识别模型输出各个所述生长图像中晶体的相对位置，经所述缺陷识别模型输出各个所述生长图像中晶体的所述缺陷信息；

根据各所述生长图像中晶体的相对位置，得到晶体生长炉中每片晶体的所述位置信息。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述缺陷信息至少包括缺陷类型以及缺陷位置，所述经所述缺陷识别模型输出各个所述生长图像中晶体的所述缺陷信息包括：

经所述缺陷识别模型获取晶体缺陷的所述缺陷类型和所述缺陷位置；

根据所述缺陷类型和所述缺陷位置，判断晶体缺陷是否符合预设的特征要求，若否，则剔除相应的晶体缺陷。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将不同侧的所述生长图像分别输入预先训练的位置识别模型和缺陷识别模型，得到晶体生长炉中每片晶体的缺陷检测结果还包括：

根据所述位置信息，按照晶体生长炉中晶体的排布顺序对每片晶体进行有序编号，其中，基于相邻晶体之间的排布距离，判断晶体生长炉中晶体之间是否存在漏检，若存在漏检则调整晶体的编号，使得所有晶体的编号在每次检测时固定不变。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述缺陷数量以及预设的缺陷阈值判断每片晶体的生长状态包括：

根据预设时间内多个时刻判断得到每片晶体的生长状态，得到晶体缺陷存在的时间；

根据所述晶体缺陷存在的时间，确定晶体缺陷是否符合预设的时间要求，若否，则剔除相应的晶体缺陷。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述位置信息和所述缺陷信息，确定晶体生长炉中每片晶体当前的生长状态还包括：

基于同一晶体生长炉中存在缺陷的晶体数量，确定晶体生长炉的整体状态。

8.一种晶体生长缺陷检测装置，其特征在于，所述装置包括：

获取模块，用于从晶体生长炉的不同侧获取炉中晶体的生长图像；

识别模块，用于将不同侧的所述生长图像分别输入预先训练的位置识别模型和缺陷识别模型，得到晶体生长炉中每片晶体的缺陷检测结果，所述缺陷检测结果至少包括每片晶体的位置信息和缺陷信息；

检测模块，用于根据所述位置信息和所述缺陷信息，确定晶体生长炉中每片晶体当前的生长状态。

9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。