[发明专利]一种声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备

权利要求书

1.一种声波谐振器，至少包括：

衬底；

形成在所述衬底上的底电极层、顶电极层和压电层；以及

形成在所述底电极层与所述衬底之间的声学反射结构；

其中，在所述声波谐振器的有效谐振区域的末端，所述顶电极层与所述压电层之间具有第一间隙和/或所述底电极层与所述压电层之间具有第二间隙，并且所述第一间隙的最顶面不高于位于所述有效谐振区域内的所述顶电极层的最下表面，所述第二间隙的最顶面不高于位于所述有效谐振区域内的所述底电极层的最上表面。

2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述间隙周围的所述压电层保持均匀的厚度，所述底电极层在非对外连接的部位具有倾斜端部。

3.根据权利要求2所述的声波谐振器，其特征在于，从垂直于衬底表面的方向来看，所述倾斜端部跨越所述声学反射结构的边缘延伸。

4.根据权利要求3所述的声波谐振器，其特征在于，在垂直于衬底表面的方向上看，所述第一间隙起始于所述倾斜端部的斜面起始位置，并且结束于所述倾斜端部的斜面终止位置的外侧。

5.根据权利要求3所述的声波谐振器，其特征在于，在垂直于衬底表面的方向上看，所述第二间隙起始于所述倾斜端部的斜面起始位置，并且结束于所述倾斜端部的斜面终止位置的外侧。

6.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述间隙的顶表面包括与衬底相平行的水平顶表面以及与所述水平顶表面相接的倾斜顶表面。

7.根据权利要求6所述的声波谐振器，其特征在于，所述倾斜顶表面包括平面、弧面或者曲折面。

8.根据权利要求3所述的声波谐振器，其特征在于，所述间隙包括位于所述底电极层的倾斜端部上的第一部分以及位于所述底电极层的倾斜端部之外的第二部分，并且所述第二部分相对于衬底的最高点不高于所述第一部分相对于衬底的最高点。

9.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述间隙至少位于顶电极层的对外连接端的下方。

10.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述间隙环绕所述声波谐振器的有效谐振区域设置。

11.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述压电层包括位于压电层的弯折部的缺陷区，所述间隙位于所述缺陷区所对应位置并至少覆盖部分缺陷区。

12.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述声学反射结构包括空腔或布拉格反射器。

13.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述声学反射结构包括嵌于衬底内部、位于衬底表面之上或者前述两者的组合的声学反射结构。

14.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述间隙内的介质包括空气或低声阻抗介质。

15.一种滤波器，其特征在于，包括权利要求1-14中任一项所述的声波谐振器。

16.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-14任一项所述的声波谐振器。