[发明专利]一种集成电路引线框架表面处理工艺

说明书

本发明涉及引线框架表面处理技术领域，尤其是一种集成电路引线框架表面处理工艺，步骤1：配制有机处理液，所述有机处理液主要组分包括硫酸、双氧水、铜保护剂；步骤2：使用步骤1中配制好的有机处理溶液对引线框架原材料或引线框架进行喷淋处理；在对引线框架表面处理时，通过将有机处理液组分的体积比限定为：硫酸含量为1‑3%，双氧水0.8%‑2%，铜保护剂1.5%，稳定剂1%，其余为水，可以准确找到合理的配比区间，通过该配比完成的有机处理液，可以使得对引线框架表面的处理过程更加稳定，维持合理的处理，避免处理后材料表面变粗程度过高，失去原有金属光泽，达不到需要的结果，造成色差明显的问题发生。

技术领域

本发明涉及引线框架及材料表面处理技术领域，具体涉及一种集成电路引线框架表面处理工艺，包含材料或框架表面色差不良改善、表面氧化处理后的异色改善，材料及框架表面的污渍、氧化改善等表面问题的改善。

背景技术

现在比较成熟的引线框架表面处理工艺主要有微蚀刻、铜面棕色氧化和电镀粗化三种。其中微蚀刻工艺出现最早，溶液配方简单，成本低，是比较传统的表面处理方法。

现有技术公开了部分有关引线框架表面处理工艺的发明专利，申请号为202011548015.3的中国专利，发现了粗化一致性对后续工艺的影响，利用在化学粗化后增设一次物理喷砂粗化，提高引线框架粗化效果的同时提高粗化一致性，并加入例如超声波除杂工艺与抗氧化工艺，提高引线框架表面处理的质量。

但是表面处理的过程不便于稳定控制，铜表面粗糙度随着时间的推移变动大，处理过程不稳定，处理后材料表面容易变粗，失去原有金属光泽，达不到需要的结果，造成色差明显。

为此，本发明提出一种集成电路引线框架表面处理工艺用于解决上述问题。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种集成电路引线框架表面处理工艺。

为达到以上目的，本发明采用的技术方案为：一种集成电路引线框架表面处理工艺，该引线框架表面处理工艺包括如下步骤：

步骤1：配制有机处理液，所述有机处理液主要组分包括硫酸、双氧水、铜保护剂；

步骤2：使用步骤1中配制好的有机处理溶液对引线框架原材料或引线框架进行喷淋处理；

步骤3：喷淋处理后，再经过超纯溢流水洗，使用60摄氏度热风处理，引线框架铜材表面会被轻微腐蚀，材料或框架表面颜色变白亮。

优选的，步骤1中所述有机处理液的组分的体积比为：硫酸含量为1~3%，双氧水0.8%~2%，铜保护剂1.5%，稳定剂1%，其余为水。

优选的，根据权利要求1所述的一种集成电路引线框架表面处理工艺，其特征在于，步骤1中配制所述溶液使用的水为超纯水。

优选的，步骤2中所述喷淋压力要求为0.15~0.2 MPa之间，溶液处理温度维持在20~40℃，喷淋时间控制在5~30 s之间。

优选的，步骤3中关于热风处理对应的热风处理装置包括箱体，所述箱体的正面开设有处理腔，所述处理腔内滑动连接有处理屉，所述处理屉的正面固定连接有把手，所述处理屉内开设有风干室和储热室，所述风干室的内壁上滑动密封连接有放置板，所述放置板的顶部开设有三个阵列分布的搁置通口，所述搁置通口的内壁上固定连接有支撑架，所述搁置通口内放置有引线框架，所述风干室的背面开设有进风口，所述箱体的背面固定连接有热风机，所述热风机的出风管道贯穿所述箱体且延伸至所述处理腔内部后与所述进风口插接连通，所述储热室的顶面开设有送风口，所述储热室的背面开设有出风口，所述处理腔内壁的背面开设有多个排风口，所述风干室和所述储热室之间共同连接有往复拉拽机构，所述往复拉拽机构用于上下拉拽所述放置板；

所述箱体的顶面和所述风干室之间连接有弹性支撑机构，所述弹性支撑机构用于在风干的过程中对所述引线框架进行弹性支撑；