[发明专利]一种插层MXene分离膜、制备方法以及在H2在审

专利信息
申请号: 202211136854.3 申请日: 2022-09-19
公开(公告)号: CN115738612A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 刘国振;刘公平;金万勤 申请(专利权)人: 南京工业大学
主分类号: B01D53/22 分类号: B01D53/22;B01D67/00;B01D69/12;B82Y40/00;C01B3/56;C01B32/50
代理公司: 南京新慧恒诚知识产权代理有限公司 32424 代理人: 邓唯
地址: 211816 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 mxene 分离 制备 方法 以及 base sub
【权利要求书】:

1.一种插层MXene分离膜,包括有MXene二维纳米片,其特征在于,还包括分布于纳米片之间的片层中的MOF-801晶体,且MOF-801晶体附着于至少一层MXene二维纳米片的表面。

2.根据权利要求1所述的插层MXene分离膜,其特征在于,所述的MOF-801晶体是通过原位合成的方式附着于MXene二维纳米片的表面;层间通道间距0.35-0.40nm。

3.根据权利要求1所述的插层MXene分离膜,其特征在于,MOF-801晶体占MXene二维纳米片重量的5-15%。

4.根据权利要求1所述的插层MXene分离膜,其特征在于,所述的MXene二维纳米片是Ti3C2Tx

5.权利要求1所述的插层MXene分离膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1,配制含有富马酸、ZrOCl2和MXene纳米片的混合溶液,搅拌反应,使在MXene纳米片的表面生成MOF-801晶体,获得制膜液;

步骤2,制膜液通过抽吸的方式在基底上使负载有MOF-801晶体的MXene纳米片负载后,干燥处理,得到插层MXene分离膜。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述的步骤1中,富马酸在溶液中的浓度0.01-0.15mmol/L,富马酸和ZrOCl2的摩尔比1:0.8-1.2。

7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述的搅拌反应时间0.5-5h。

8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述的基底是多孔聚合物材料。

9.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述的干燥处理是10-40℃处理5-30h。

10.权利要求1所述的插层MXene分离膜在在H2/CO2分离中的应用。

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