[发明专利]基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质

说明书

本发明是基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质，以提高在基板上形成的膜的特性。基板处理方法具有通过将循环进行预定次数而在基板上形成含硅、预定元素及氮的膜的工序，循环包括(a)向基板供给含硅的第一气体而形成第一层的工序、(b)向基板供给含硅且分子结构与第一气体不同的第二气体而形成第二层的工序、(c)向基板供给含预定元素的第三气体的工序和(d)向基板供给含氮的第四气体而对第一层及第二层进行改性的工序；预定元素是能够在膜中形成缺陷的元素，在循环中，按照(a)(c)(b)(d)、(c)(a)(b)(d)或(c)(a)(c)(b)(d)的任一顺序进行(a)～(d)各工序。

技术领域

本公开涉及基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质。

背景技术

作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时进行在基板上形成膜的处理(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2021/053756号

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于提供一种能够提高在基板上形成的膜的特性的技术。

用于解决课题的方法

根据本公开的一个方式，提供一种基板处理方法，具有通过将包括如下(a)、(b)、(c)和(d)的循环进行预定次数，从而在基板上形成含有硅、预定元素和氮的膜的工序，

(a)向上述基板供给含有硅的第一气体而形成第一层的工序，

(b)向上述基板供给含有硅且分子结构与上述第一气体不同的第二气体而形成第二层的工序，

(c)向上述基板供给含有上述预定元素的第三气体的工序，和

(d)向上述基板供给含有氮的第四气体来对上述第一层和上述第二层进行改性的工序；

作为上述预定元素，使用能够在上述膜中形成缺陷的元素，

在上述循环中，按照(a)(c)(b)(d)、(c)(a)(b)(d)或(c)(a)(c)(b)(d)中的任一顺序进行(a)～(d)的各工序。

发明效果

根据本公开，能够提供一种能够提高在基板上形成的膜的特性的技术。

附图说明

图1是本公开的一个方式中优选使用的基板处理装置的立式处理炉的概略构成图，是以纵截面图表示处理炉202部分的图。

图2是本公开的一个方式中优选使用的基板处理装置的立式处理炉的概略构成图，是以图1的A-A线截面图表示处理炉202部分的图。

图3是本公开的一个方式中优选使用的基板处理装置的控制器121的概略构成图，是以框图表示控制器121的控制系统的图。

图4是示出本公开的一个方式中的处理流程的图。

图5是示出本公开的变形例1中的处理流程的图。

图6是示出本公开的变形例3中的处理流程的图。

图7是示出在本公开的一个方式中优选使用的基板处理装置中形成的膜的图。

图8是表示实施例中的测定结果的图。

符号说明

200：晶圆(基板)。

具体实施方式

本公开的一个方式