[发明专利]一种低剖面硅基CMOS相控阵天线

权利要求书

1.一种低剖面硅基CMOS相控阵天线，其特征在于：包括天线单元、复合基板、T/R芯片、和差器、刚扰板以及波控板，

所述复合基板为圆盘状，所述天线单元固定于复合基板的上表面，所述T/R芯片的一端固定连接于复合基板的下表面，另一端与所述和差器的上表面接触；所述和差器为金属腔体结构，上端连接于所述复合基板的下表面；所述波控板固定于所述和差器的下端面上，所述刚扰板包裹于和差器外部，一端与复合基板连接，另一端与所述波控板连接。

2.如权利要求1所述的低剖面硅基CMOS相控阵天线，其特征在于：所述T/R芯片为多通道硅基CMOS T/R芯片。

3.如权利要求1所述的低剖面硅基CMOS相控阵天线，其特征在于：所述T/R芯片与复合基板接触的一面贴有散热片。

4.如权利要求1所述的低剖面硅基CMOS相控阵天线，其特征在于：所述多层基板与和差器连接安装时，先用定位销钉进行定位之间，再使用银浆对对接的缝隙处进行粘接。

5.如权利要求1所述的低剖面硅基CMOS相控阵天线，其特征在于：所述和差器的上端面设有与所述T/R芯片相适应的内凹槽，所述T/R芯片与固定连接于复合基板时置于和差器上端面的内凹槽中。

6.如权利要求1所述的低剖面硅基CMOS相控阵天线，其特征在于：所述波控板通过螺装工艺固定于和差器的下表面上。

7.如权利要求1所述的低剖面硅基CMOS相控阵天线，其特征在于：所述T/R芯片为64个，每16个为一个象限，均布于复合基板的下表面上。

8.如权利要求7所述的低剖面硅基CMOS相控阵天线，其特征在于：还包括功分器，所述功分器为4个，每个象限的16个T/R芯片通过1个功分器与和差器电路连接。

9.如权利要求2所述的低剖面硅基CMOS相控阵天线，其特征在于：所述多通道硅基CMOST/R芯片的通道数为16。

10.如权利要求1所述的低剖面硅基CMOS相控阵天线，其特征在于：所述和差器内部设有和差网络，与所述T/R芯片电路连接。