[发明专利]一种带双反射结构的横向激励薄膜体声波谐振器在审
| 申请号： | 202211126725.6 | 申请日： | 2022-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN115459732A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 孙成亮;陈祥;刘炎;蔡耀;刘文娟;曲远航;魏民;丁嘉祺 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 杨震 |
| 地址： | 430072 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反射 结构 横向 激励 薄膜 声波 谐振器 | ||
【权利要求书】：
1.一种带双反射结构的横向激励薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括带空腔的衬底、位于所述衬底上的声布拉格反射栅、位于所述声布拉格反射栅上的压电层，和位于所述压电层上的叉指电极结构。
2.根据权利要求1所述的横向激励薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声布拉格反射栅由高声阻抗材料和低声阻抗材料沿垂直于所述衬底表面方向交替堆叠而成。
3.根据权利要求2所述的横向激励薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声布拉格反射栅的交替堆叠总层数至少为2层。
4.根据权利要求2所述的横向激励薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声布拉格反射栅的堆叠顺序为，从压电层向衬底，以高声阻抗材料为始进行交替堆叠。
5.根据权利要求2所述的横向激励薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声布拉格反射栅的堆叠顺序为，从压电层向衬底，以低声阻抗材料为始进行交替堆叠。
6.根据权利要求1所述的横向激励薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声布拉格反射栅的俯视图形状为四边形、五边形或椭圆。
7.根据权利要求2所述的横向激励薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声布拉格反射栅的堆叠厚度接近或等于λ/4，其中λ为所述谐振器激发的声波在高声阻抗材料或低声阻抗材料中的波长。
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