[发明专利]一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法

说明书

本发明提供一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法，将表面改性的球状银粉，片状银粉，高分子树脂，分散剂与有机溶剂混匀，制备得到内电极银浆；表面改性的球状银粉为在银粉原粉表面包覆纳米金属氧化物，比表面积为0.5‑2.5m²/g，振实密度4‑6g/ml；片状银粉比表面积为0.5‑2m²/g，振实密度为4‑5g/m l。本发明的有益效果是：采用了表面特殊改性的银粉来制作ZnO片式压敏电阻器用银电极浆料，提高了银的耐烧性，降低烧结后的电阻率；不再添加钯，有效解决了银钯浆中钯易与铋反应的现象，同时也可以进一步降低烧结后的电阻率，提高产品性能；同时也降低了使用银钯浆带来的高成本。

技术领域

本发明属于电子元件制备技术领域，尤其是涉及一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法。

背景技术

片式压敏电阻器(VARISTOR)是压敏电阻器的一种.它是用氧化锌非线性电阻元件作为核心而制成的电冲击保护器件。氧化锌非线性电阻元件是以氧化锌(zn0)为主体材料，添加多种其他微量元素，用陶瓷工艺制成的化合物半导体元件。现代集成电路规模和速度的提高，对电子元件要求越来越严格。如小型化、高性能化、薄型化、轻型化、电容的大容量化、电阻的抗高浪涌能力等。多层片式压敏电阻器是由多个分立压敏电阻器并联构成的，具有体积小，通流容量大，表面安装性好和易实现低压化等优点。作为一种小型化、高性能抑制浪涌元件，迄今被广泛应用于IC保护、CMOS、MOSFET器件保护以及汽车电子线路保护等各个领域。

ZnO系是一种比较理想的片式元件材料，多用于片式压敏电阻器，多层片式陶瓷配方常规用ZnO-Bi2O3-Sb2O3系统配方。一般使用银钯浆料作为内电极。高端产品绝大部分使用杜邦、福禄、昭和等国外厂家。其主要性能指标为共烧匹配性良好、较好的抗浪涌能力，较高的导电性能。ZnO系片式压敏电阻生片中一般含铋，容易与银钯浆中的钯反应，造成产品缺陷；现有纯银浆料会产生银迁移现象，降低了产品使用性能；纯银银浆耐烧性差，高温会出现飞银现象，不适合烧结温度较高的生瓷片。并且银钯浆料电阻率较大，抑制了高性能产品的发展，且银钯浆料价格昂贵、不利于企业成本控制。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法。

本发明采用的技术方案是：一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法，将表面改性的球状银粉，片状银粉，高分子树脂，分散剂与有机溶剂混匀，制备得到内电极银浆；

其中，表面改性的球状银粉70％-90％，片状银粉5-20％，高分子树脂1％-5％，分散剂0.1％-3％，余量为有机溶剂。

优选地，表面改性的球状银粉为在银粉原粉表面包覆纳米金属氧化物，纳米金属氧化物添加量为银粉含量的0.2％-2％。

优选地，纳米金属氧化物为纳米二氧化硅、纳米氧化铝、纳米氧化锌、纳米二氧化钛和纳米氧化锆中的一种或多种的组合。

优选地，银粉原粉为粒径为1.5-5um，比表面积0.2-1m²/g，振实密度4-6g/ml的单晶型球形银粉。

优选地，将纳米金属氧化物加入到乙醇中，再加入到纳米金属氧化物含量1-5％的分散剂，搅拌；加入银粉原粉，搅拌后得到表面改性的球状银粉。

优选地，片状银粉比表面积为0.5-2m²/g，振实密度为4-5g/ml。

优选地，高分子树脂为丙烯酸树脂，PVB树脂和乙基纤维素中的一种或多种的组合；

有机溶剂为丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、松油醇、醇酯十二、二乙二醇二乙醚和尼龙酸甲酯中的一种或多种的组合；

分散剂为聚乙烯蜡、丙烯酸酯类和磷酸酯类中的一种或多种的组合。

优选地，还包括添加剂，添加剂为防沉降触变剂和/或消泡剂；