[发明专利]堆叠封装结构以及堆叠封装结构的制造方法

权利要求书

1.一种堆叠封装结构，其特征在于，包括：

基板以及在所述基板上层叠设置的多个器件层；

连接部，所述连接部包括第一连接部和第二连接部，所述第一连接部包括设置在各所述器件层之间以及所述基板与所述器件层之间的第一焊料连接部，所述第一焊料连接部电连接各所述器件层与所述基板，所述第二连接部包括设置在各所述器件层之间以及所述基板与所述器件层之间的第二焊料连接部，且所述第二焊料连接部不与各所述器件层和所述基板电连接，其中，至少一层的所述第一焊料连接部以及所述第二焊料连接部具有第一掺杂元素，所述第一焊料连接部中的所述第一掺杂元素的含量小于所述第二焊料连接部中的所述第一掺杂元素的含量。

2.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述第一连接部还包括贯穿至少一个所述器件层的电连接结构，所述电连接结构与所述第一焊料连接部连接，所述电连接结构的熔融温度大于所述第一焊料连接部的熔融温度。

3.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，在所述基板上层叠设置的多个器件层包括底部器件层，所述底部器件层与所述基板之间设置的所述第二焊料连接部中，所述第一掺杂元素的含量大于其他所述器件层间的所述第二焊料连接部的所述第一掺杂元素的含量。

4.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述器件层还包括顶部器件层，所述顶部器件层与邻接的所述器件层之间设置的所述连接部中，所述第一焊料连接部的第一掺杂元素的含量和所述第二焊料连接部中的第一掺杂元素的含量相同或不同。

5.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，在邻近所述基板的多层所述连接部中，所述第二焊料连接部的所述第一掺杂元素的含量大于所述第一焊料连接部的所述第一掺杂元素的含量。

6.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，对于所有层的所述连接部，所述第二焊料连接部的所述第一掺杂元素的含量大于所述第一焊料连接部的所述第一掺杂元素的含量。

7.根据权利要求1至6任一项所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述第一焊料连接部的所述第一掺杂元素的含量与所述第二焊料连接部的所述第一掺杂元素的含量之差范围为-5.5％～-1.5％。

8.根据权利要求1至6任一项所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述第一焊料连接部的所述第一掺杂元素含量为0.5％～2％，所述第二焊料连接部的所述第一掺杂元素含量为3.5％～6％。

9.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，在平行于所述基板的方向上，所述第一焊料连接部具有最大的第一尺寸，所述第二焊料连接部具有最大的第二尺寸，所述第一尺寸小于所述第二尺寸。

10.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述第一掺杂元素包括银、铋、铟、钯中的一种或一种以上。

11.根据权利要求10所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述第一掺杂元素为银；所述第一焊料连接部中所述第一掺杂元素的含量为0.5％～2％，所述第二焊料连接部中所述第一掺杂元素的含量为3.5％～6％。