[发明专利]声表面波器件、封装结构及制备方法

权利要求书

1.一种声表面波器件，其特征在于，包括：

压电基板；及

IDT电极，设置于所述压电基板表面，所述IDT电极包括电极层及设置于所述电极层远离所述压电基板表面的保护层，所述电极层中的铝含量在90wt％以上；所述保护层包括Ti、Al，所述保护层中Ti的含量在50wt％以上。

2.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，还包括：

缓冲层，设置在所述电极层和所述压电基板之间，所述缓冲层包括Ti或Cr，所述缓冲层中Ti或Cr的含量在90wt％以上。

3.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其特征在于，在所述IDT电极远离压电基板的一面和侧面设置绝缘层，所述绝缘层包括氧化硅或氮化硅。

4.根据权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于，所述缓冲层的厚度为1-200nm。

5.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其特征在于，所述保护层的腐蚀电位高于所述电极层。

6.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其特征在于，所述保护层包括α-Ti、TiAl中的至少一种。

7.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其特征在于，所述保护层中的Al组分含量呈梯度分布，在远离所述压电基板一侧的Al元素含量低于靠近压电基板一侧的Al元素含量。

8.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其特征在于，在将所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述电极层的厚度为5-15％λ，所述保护层的厚度为1-200nm。

9.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其特征在于，所述保护层在所述压电基板上的正投影面积小于所述电极层在所述压电基板上的正投影面积。

10.根据权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于，所述电极层在所述压电基板上的正投影面积小于所述缓冲层在所述压电基板上的正投影面积。

11.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基板中设置有凹槽结构，所述凹槽结构容置所述IDT电极，在将所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述凹槽结构的深度大于或等于5-15％λ。

12.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基板包括压电薄膜、基底以及位于所述压电薄膜及基底之间的氧化层组成，所述压电薄膜为单晶薄膜，所述基底传播的体波声速高于所述压电薄膜传输的声表面波声速，所述氧化层为多晶薄膜，所述氧化层传播的体波声速低于所述压电薄膜传播的声表面波声速，所述氧化层具有大于零的频率温度系数。

13.根据权利要求12所述的声表面波器件，其特征在于，所述氧化层的厚度为30nm以上。

14.一种包括权利要求1所述的声表面波器件的封装结构，其特征在于，包括所述声表面波器件、电路基板、第一封装层以及第二封装层；所述电路基板表面设置有所述声表面波器件，所述第一封装层设置在声表面波器件的表面，在第一封装层远离声表面波器件一侧设置第二封装层；所述第一封装层包括热固性丙烯酸树脂，所述第二封装层包括环氧树脂。

15.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述第二封装层还包括导热填料，所述导热填料占所述第二封装层的30-70wt％。

16.根据权利要求15所述的封装结构，其特征在于，所述导热填料包括金属氧化物、金属氮化物、导热聚合物、非金属化合物中的一种或几种。