[发明专利]一种增强MXenes饱和吸收信号的方法在审
| 申请号: | 202211099622.5 | 申请日: | 2022-09-09 |
| 公开(公告)号: | CN115981066A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
| 发明(设计)人: | 王迎威;王一多;周莉;肖思;何军 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
| 主分类号: | G02F1/35 | 分类号: | G02F1/35;G02F1/355 |
| 代理公司: | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人: | 蒋太炜 |
| 地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 增强 mxenes 饱和 吸收 信号 方法 | ||
1.一种增强MXenes饱和吸收信号的方法,其特征在于:所述方法至少包含以下步骤:
步骤一在MXenes层状材料上原位生长MoS2形成异质结;
以层数小于10层的二维层状MXenes材料为原料;按MXenes材料中过渡金属的原子数目与外加钼源中钼原子的数目比为1-7:1-7、优选为0.98-1.02:0.98-1.02、进一步优选为1:1;配取原料MXenes材料和外加钼源;所述外加钼源为含硫含钼的盐,且所含硫呈负价;
将原料MXenes材料加入到水中制成水分散液,然后将按比例配取的外加钼源加入到水分散液中,搅拌至少4个小时后,以大于等于10℃/s的冷却速度冷却;然后进行冷冻干燥;得到混和粉末;混合粉末在含有氢气和氩气的混合气氛中进行退火,降温后得到二维层状MXenes材料/MoS2异质结粉末;
步骤二测量MXenes/MoS2异质结的饱和吸收信号;
在不同激发光波长下测量MXenes/MoS2异质结的饱和吸收信号;根据饱和吸收信号的强弱,选出最适合的激发光波长。
2.根据权利要求1所述的一种增强MXenes饱和吸收信号的方法,其特征在于:所述二维层状材料MXenes包括碳化钒纳米片、碳化铌纳米片、碳化钒纳米片、碳化钛纳米片、碳化钼纳米片中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的一种增强MXenes饱和吸收信号的方法,其特征在于:所述二维层状材料MXenes为碳化铌纳米片。
4.根据权利要求1所述的一种增强MXenes饱和吸收信号的方法,其特征在于:
按比例,将1.8-2.2g优选为2g的Nb2AlC陶瓷粉末分多次加入到35-45ml、优选为40ml的45-55wt%、优选为50wt%HF溶液中;
在35-45℃、优选为40℃水浴条件下搅拌50-70、优选为60小时得到多层Nb2CHF溶液;然后4500-5500rpm、优选为5000rpm的转速离心,取下层沉淀,加入去离子水,重复这个过程,直到水溶液的pH值为5.8-6,得到多层Nb2C水分散液;将洗净的多层Nb2C加入四甲基氢氧化铵溶液中,在室温条件下搅拌10-18、优选为12小时,以催进多层Nb2C的分离,随后使用6000-7000rpm、优选为6500rpm的转速离心3-8分钟;洗去多余的四甲基氢氧化铵,将得到的沉淀充分分散在去离子水中,在低于10℃的环境下水浴超声45-75min,然后采用2500-3500rpm离心10-25分钟得到少层Nb2C水分散液;使用液氮快速降温使少层Nb2C水分散液冻结,随后冷冻干燥直至所有水分蒸发,得到少层Nb2C粉末。
5.根据权利要求1所述的一种增强MXenes饱和吸收信号的方法,其特征在于:外加钼源为四硫代钼酸铵。
6.根据权利要求4所述的一种增强MXenes饱和吸收信号的方法,其特征在于:
将少层Nb2C粉末加水分散得到分散液,然后按照比例,Nb2C与(NH4)2MoS4分子比为1:1,加入四硫代钼酸铵;在室温下磁力搅拌4-8h、优选为6h,使得MoS4+充分负载与Nb2C层状材料上;使用液氮快速降温使混合分散液冻结,随后冷冻干燥直至所有水分蒸发,得到混合粉末;将混合粉末置于高温管式炉中,在含有H2和Ar的混合气体氛围中将温度以每分钟1.5-2.5℃的升温速度升至495-505℃,保持恒温100-140min,使温度自然降至室温,得到Nb2C/MoS2异质结粉末;所用混合气体中,氢气和氩气的体积比为1-2:8-9、优选为1:9。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学,未经中南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211099622.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





