[发明专利]一种镨离子掺杂的蓝光及宽带近红外激光晶体制备与应用在审
| 申请号： | 202211090107.0 | 申请日： | 2022-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN116254602A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王无敌;徐军;薛艳艳;董建树;王庆国;唐慧丽 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/00;H01S3/16 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 掺杂 宽带 红外 激光 晶体 制备 应用 | ||
1.一种镨离子掺杂的蓝光及宽带近红外激光晶体，其特征在于，该激光晶体包括基质材料与掺杂离子；
所述的基质材料包括金属氯化物、金属溴化物或金属氟化物中的一种，其中金属元素包括钡、铅、钙、镁、钪、钇、镥、锂或钾中的至少一种；
所述的掺杂离子为镱离子和镨离子，其中镱离子的掺杂浓度为1-8mol％，镨离子的掺杂浓度为0.1-1mol％。
2.如权利要求1所述的一种镨离子掺杂的蓝光及宽带近红外激光晶体的制备方法，其特征在于，该方法包括：
将氟化物基质材料与氟化镱、氟化镨混合，于保护气体氛围中，在1400-1500℃下保温6-12h，再以1-3℃/h的速率缓慢降温至1200-1300℃，即得到所述的激光晶体。
3.根据权利要求2所述的一种镨离子掺杂的蓝光及宽带近红外激光晶体的制备方法，其特征在于，所述的基质材料为氟化钡。
4.根据权利要求2所述的一种镨离子掺杂的蓝光及宽带近红外激光晶体的制备方法，其特征在于，所述的基质材料与氟化镱、氟化镨为对应的单晶颗粒或粉末。
5.根据权利要求2所述的一种镨离子掺杂的蓝光及宽带近红外激光晶体的制备方法，其特征在于，所述的基质材料与氟化镱、氟化镨的混合过程为研磨40-60min。
6.根据权利要求2所述的一种镨离子掺杂的蓝光及宽带近红外激光晶体的制备方法，其特征在于，煅烧前加入PbF2，其加入量为基质材料与氟化镱、氟化镨总质量的1％。
7.根据权利要求2所述的一种镨离子掺杂的蓝光及宽带近红外激光晶体的制备方法，其特征在于，煅烧过程中，升温速率为200-300℃/h，降温速率为50-60℃/h。
8.根据权利要求2所述的一种镨离子掺杂的蓝光及宽带近红外激光晶体的制备方法，其特征在于，所述的保护气体为氩气、CF4或HF中的至少一种。
9.根据权利要求2所述的一种镨离子掺杂的蓝光及宽带近红外激光晶体的制备方法，其特征在于，煅烧过程中，所述的基质材料与氟化镱、氟化镨的煅烧器皿为多孔石墨坩埚。
10.如权利要求1所述的一种镨离子掺杂的蓝光及宽带近红外激光晶体的应用，其特征在于，所述的激光晶体用于实现蓝光及1.1-1.6微米波段内全固态激光输出。
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