[发明专利]一种在MgO衬底上制备高质量Fe3

权利要求书

1.在MgO(001)衬底上制备高质量Fe3O4(001)薄膜的方法，其特征在于，

1)安装靶材，获得腔体真空；

2)衬底预处理；

3)预溅射；

4)溅射沉积薄膜；

所述步骤1)中，使用高纯Fe即纯度大于99.95％靶材，腔体真空度达到1×10^-8Torr以上。

2.如权利要求1所述的在MgO(001)衬底上制备高质量Fe₃O₄(001)薄膜的方法，其特征在于，将MgO(001)衬底清洗，去除衬底表面的油污杂质；清洗完毕干燥后通过真空系统传入生长腔室；将衬底加热至500±50℃退火30±10分钟，随后降温至溅射生长温度300±30℃。

3.如权利要求2所述的在MgO(001)衬底上制备高质量Fe₃O₄(001)薄膜的步骤，其特征在于，所述步骤3)为：通入高纯氩气99.999％和氧气99.999％的混合气体，氩气的体积为氧气体积的30倍以上。

4.如权利要求3所述的在MgO(001)衬底上制备高质量Fe₃O₄(001)薄膜的步骤，其特征在于，调节抽气速率，使溅射时的气压稳定在4×10^-3Torr；氧气和氩气的比例通过电控的流量阀门控制，使用射频电源功率30W以上开始预溅射，时间15±8分钟。

5.如权利要求2所述的在MgO(001)衬底上制备高质量Fe3O4(001)薄膜的步骤，其特征在于，所述步骤4)中，在薄膜的沉积过程中，衬底温度保持在300±30℃，并以2-10rpm的速度旋转；通过控制溅射的时间，沉积不同厚度的薄膜。