[发明专利]一种低介电共混聚酰亚胺及制备方法和应用在审
申请号: | 202211079828.1 | 申请日: | 2022-09-05 |
公开(公告)号: | CN115850699A | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 刘亦武;周志峰;谭井华;黄杰;尧兵;周志远;钱洪炎 | 申请(专利权)人: | 江西有泽新材料科技有限公司;湖南工业大学 |
主分类号: | C08G73/10 | 分类号: | C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 杜梅花 |
地址: | 337000 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低介电共混 聚酰亚胺 制备 方法 应用 | ||
1.一种低介电共混聚酰亚胺的制备方法,其特征在于,其制备步骤包括:
S1.将含氟二胺与含氟二酐按比例加入到惰性气体保护的极性非质子溶剂中,搅拌反应,得到均相、粘稠的聚酰胺酸胶液A;
S2.将含噻蒽结构和酯键的二胺与和含氟二酐按比例加入到惰性气体保护的极性非质子溶剂中,搅拌反应,得到均相、粘稠的聚酰胺酸胶液B;
S3.将步骤S1中的聚酰胺酸胶液A和步骤S2中的聚酰胺酸胶液B按比例混合在一起,控制温度-10~40℃,搅拌4~12小时,制备共混型聚酰胺酸胶液;
S4.将步骤S3中得到的混合聚酰胺酸胶液均匀涂覆在洁净的玻璃上,对聚酰胺酸胶液进行酰亚胺化后,得到聚酰亚胺薄膜。
2.根据权利要求1所述低介电共混聚酰亚胺的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述的含氟二胺为下列结构中的一种或多种:
所述含氟二酐单体为下述结构中的一种或多种:
3.根据权利要求1所述低介电共混聚酰亚胺的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述的含噻蒽结构和酯键的二胺结构为:
所述含氟二酐单体为下述结构中的一种或多种:
4.根据权利要求1所述低介电共混聚酰亚胺的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述含氟二胺单体与二酐单体的摩尔比为1:0.9~1.1,步骤S2中所述含噻蒽结构和酯键的二胺与含氟二酐的摩尔比为1:0.9~1.1。
5.根据权利要求1所述低介电共混聚酰亚胺的制备方法,其特征在于,步骤S1和S2中所述强极性非质子有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、二甲基砜、环丁砜、1,4-二氧六环、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、间甲酚、四氢呋喃中的一种或一种以上。
6.根据权利要求1所述的一种低介电共混聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S3中所述的聚酰胺酸溶液A与聚酰胺酸溶液B的质量比为50:50~99:1。
7.根据权利要求1所述低介电共混聚酰亚胺的制备方法,其特征在于,步骤S1和S2中所述二胺和二酐总质量占反应物料总质量的质量分数为2~50%。
8.根据权利要求1所述低介电共混聚酰亚胺的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述搅拌反应的时间为0.5~72h;步骤S2中所述搅拌反应的时间为0.5~72h。
9.根据权利要求1所述低介电共混聚酰亚胺的制备方法,其特征在于,步骤S4中所述酰亚胺化包括热酰亚胺化或化学酰亚胺化。
10.根据权利要求1-9任一所述低介电共混聚酰亚胺的制备方法制备的聚酰亚胺,其特征在于,所述聚酰亚胺应用于微电子领域。
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