[发明专利]不良太阳电池返工方法在审
申请号: | 202211076960.7 | 申请日: | 2022-09-05 |
公开(公告)号: | CN115472714A | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 王金;余义;苏世杰 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/109;B08B11/00;B08B3/08;B08B3/04 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 孟嘉欣 |
地址: | 230031 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 不良 太阳电池 返工 方法 | ||
本发明公开了一种不良太阳电池返工方法。该不良太阳电池返工方法包括如下步骤:将太阳电池置于第一清洗液中进行第一清洗,以去除镀铜层,第一清洗液中包括氧化剂和强酸;将太阳电池置于第二清洗液中进行第二清洗,以去除太阳电池中的透明导电膜层,第二清洗液包括强酸和氢氟酸;将太阳电池置于第三清洗液中进行第三清洗,以去除太阳电池中的非晶硅层,第三清洗液包括强碱。该返工方法不仅能够有效去除硅片表面已经形成的各层或掺杂元素,还不会在该硅片表面残留杂质,使其可供重复利用。因此该不良电池的返工方法还能够有效降低由于镀铜不良带来的成本增加的问题,提升一次返工的良率。
技术领域
本发明涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种不良太阳电池返工方法。
背景技术
异质结电池(Heterojunction with Intrinsic Thinfilm,HJT)在近几年得到了突飞猛进的发展。相比于目前作为主流的发射极和背面钝化电池(Passivated Emitterand Rear Cell,PERC),异质结电池在效率方面更具有优势,但是存在制造成本较高的问题,因而尚未得到大规模商业化应用。
异质结电池的主要成本来自于其表面的双面银浆。为了降低异质结电池的生产成本,目前存在一些使用镀铜来代替导电银浆作为导电电极的技术,其有望使得异质结电池的非硅成本得到大幅下降,进而促进异质结电池的大规模商业化应用。但同时,在通过镀铜的方式制备太阳电池的栅线时,也会带来额外的不良电池片的问题,例如电镀前的包边不良品以及电镀中的显影不良品等,这也会导致成本的增加。现有技术中仍然缺少对于镀铜不良太阳电池的有效且低成本的返工方法。
发明内容
基于此,为了降低由于镀铜带来的电池不良的问题,有必要提供一种不良太阳电池返工方法。
根据本申请的一个实施例,一种不良太阳电池返工方法,太阳电池包括镀铜层,所述返工方法包括如下步骤:
将所述太阳电池置于第一清洗液中进行第一清洗,以去除所述镀铜层,所述第一清洗液中包括氧化剂和强酸;
将所述太阳电池置于第二清洗液中进行第二清洗,以去除所述太阳电池中的透明导电膜层,所述第二清洗液包括强酸和氢氟酸;
将所述太阳电池置于第三清洗液中进行第三清洗,以去除所述太阳电池中的非晶硅层,所述第三清洗液包括强碱。
在其中一个实施例中,所述第一清洗液中包括质量分数为7g/L~40g/L的过氧化氢,所述第一清洗液中包括质量分数为4g/L~20g/L的强酸。
在其中一个实施例中,在将所述太阳电池置于第一清洗液中进行清洗的过程中,将所述太阳电池浸没于所述第一清洗液中保持600s~1200s。
在其中一个实施例中,在将所述太阳电池进行第一清洗液之前,还包括将所述太阳电池置于清洗蓝具以及将所述清洗蓝具浸没于所述第一清洗液中的步骤。
在其中一个实施例中,所述第二清洗液包括质量分数为5%~15%的强酸和质量分数为10%~20%的氢氟酸。
在其中一个实施例中,在将所述太阳电池进行第二清洗时,将所述太阳电池浸没于所述第二清洗液中清洗200s~600s。
在其中一个实施例中,所述第三清洗液包括质量分数为5%~15%的强碱。
在其中一个实施例中,在将所述太阳电池进行第三清洗时,将所述不良电池浸没于所述第三清洗液中清洗200s~600s。
在其中一个实施例中,在对所述太阳电池进行第三清洗之前,还包括将所述太阳置于清洁液中进行清洗的步骤,所述清洁液包括质量分数为5%~10%的强碱和质量分数为5%~10%的过氧化氢。
在其中一个实施例中,在对所述太阳电池进行第二清洗之前,还包括将所述太阳电池置于水中并进行鼓泡清洗的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通威太阳能(安徽)有限公司,未经通威太阳能(安徽)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211076960.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的