[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

图形化衬底，所述图形化衬底的表面具有多个凸起，且相邻凸起之间形成平面；

第一透明导电层，所述第一透明导电层设置于所述凸起的表面；

缓冲层，所述缓冲层设置于所述图形化衬底的平面；

发光结构，所述发光结构通过覆盖所述凸起的方式形成于所述缓冲层的表面，所述发光结构至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，且所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面；所述第一方向垂直于所述图形化衬底，并由所述图形化衬底指向所述发光结构；

隔离层，其设置于所述凹槽的侧壁；

第一电极，其层叠于所述凹槽；

第二电极，其层叠于所述台面。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一透明导电层从所述凸起侧面延伸至所述平面，使各所述凸起形成电连接。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述缓冲层层叠于所述平面所对应的第一透明导电层的表面。

4.根据权利要求2或3所述的LED芯片，其特征在于，所述凹槽裸露部分所述第一透明导电层，使所述第一电极与所述第一透明导电层形成电连接。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述凸起包括台状凸起，所述第一透明导电层层叠于所述台状凸起的台面和/或侧壁。

6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述第一透明导电层与对应的所述台状凸起构成一个锥状结构。

7.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述台状凸起包括圆台状凸起、椭圆台状凸起、多棱台状凸起中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述凸起包括锥状凸起，所述第一透明导电层附着于所述锥状凸起的侧壁。

9.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述锥状凸起包括圆锥状凸起、椭圆锥状凸起、多棱锥状凸起中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一透明导电层包括氧化铟锡、氧化镉锡、氧化铟和氧化锌中的一种或多种堆叠。

11.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，在所述缓冲层表面还设有非故意掺杂层，所述发光结构通过覆盖所述凸起的方式形成于所述非故意掺杂层的表面。

12.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

S01、提供一图形化衬底，所述图形化衬底的表面具有多个凸起，且相邻凸起之间形成平面；

S02、形成第一透明导电层，所述第一透明导电层从所述凸起侧面延伸至所述平面，使各所述凸起形成电连接；

S03、形成缓冲层，所述缓冲层设置于所述平面内；

S04、生长发光结构，所述发光结构通过覆盖所述凸起的方式形成于所述缓冲层的表面，且所述发光结构至少包括沿生长方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层；

S05、将所述发光结构的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层，形成凹槽及台面；

S06、生长隔离层，其设置于所述凹槽的侧壁；

S07、制作第一电极和第二电极，所述第一电极层叠于所述凹槽内，所述第二电极层叠于所述台面。

13.根据权利要求12所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述凹槽裸露部分所述第一透明导电层，使所述第一电极与所述第一透明导电层形成电连接。