[发明专利]晶体管、半导体器件及其形成方法

说明书

本发明实施例提供了半导体器件，该半导体器件包括第一纳米结构；第二纳米结构，位于第一纳米结构下方，第二纳米结构在第二纳米结构的相对端部处具有垂直突起；栅极结构，设置在第一纳米结构和第二纳米结构上方，栅极结构在第一纳米结构和第二纳米结构之间延伸；以及源极/漏极区域，与栅极结构相邻，源极/漏极区域接触第一纳米结构和第二纳米结构。本发明的实施例还提供了晶体管和形成半导体器件的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及晶体管、半导体器件及其形成方法。

背景技术

将半导体器件用于各种电子应用中，例如，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，以及使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体行业通过不断减小最小部件尺寸来不断改善各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多组件集成到给定区域中。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应解决的额外问题。

发明内容

本发明的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一纳米结构；第二纳米结构，位于第一纳米结构下方，第二纳米结构在第二纳米结构的相对端部处具有垂直突起；栅极结构，设置在第一纳米结构和第二纳米结构上方，栅极结构在第一纳米结构和第二纳米结构之间延伸；以及源极/漏极区域，与栅极结构相邻，源极/漏极区域接触第一纳米结构和第二纳米结构。

本发明的另一些实施例提供了一种晶体管，包括：第一纳米结构；第二纳米结构，位于第一纳米结构下方，第二纳米结构与第一纳米结构分隔开第一距离；栅极结构，设置在第一纳米结构和第二纳米结构上方，栅极结构的第一部分在第一纳米结构和第二纳米结构之间延伸，第一部分具有第二距离的高度，第二距离大于第一距离；以及源极/漏极区域，与栅极结构相邻，源极/漏极区域接触第一纳米结构和第二纳米结构。

本发明的又一些实施例提供了一种形成半导体器件方法，包括：在衬底上方形成第一纳米结构和第二纳米结构，每个第一纳米结构与每个第二纳米结构交替；在第一纳米结构和第二纳米结构上方形成伪栅极结构；执行第一蚀刻工艺以去除伪栅极结构的上部部分并暴露第一纳米结构；执行第二蚀刻工艺以去除伪栅极结构下方的第一纳米结构，来自第二蚀刻工艺的残余物残留在第二纳米结构的暴露表面上；氧化残余物以形成氧化层；以及通过第三蚀刻工艺去除氧化层。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的三维视图中的纳米结构场效应晶体管(纳米FET)的实例。

图2、图3、图4、图5、图6A、图6B、图7A、图7B、图8A、图8B、图9A、图9B、图10A、图10B、图11、图12、图13、图14A、图14B、图14C、图14D、图15A、图15B、图16A、图16B、图16C、图17A、图17B、图17C、图18A、图18B、图19A、图19B、图20、图21、图22、图23A、图23B、图24、图25A、图25B、图25C、图25D、图25E、图26、图27、图28、图29A、图29B、图30、图31A、图31B、图31C、图31D、图31E、图32A、图32B、图33A、图33B、图34A、图34B和图34C是根据一些实施例的制造纳米FET中的中间阶段的截面图或立体图。

图35A、图35B、图35C、图35D和图35E是根据一些实施例的纳米FET的截面图。

具体实施方式