[发明专利]一种筛选含铟合金熔接材料的方法及含铟合金熔接材料

权利要求书

1.一种筛选含铟合金熔接材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，获取TM₁-In-TM₂体系中存在的单质和二元晶体结构，其中TM₁代表Sn和Ag中的一种，TM₂代表Sb、Ag、Zn和Cu中的一种；

步骤2，分别对步骤1中获取的单质和二元晶体结构进行结构优化，并基于结构优化后的单质和二元晶体结构，计算各单质和各二元晶体结构的形成焓；

步骤3，基于步骤2中计算得到的各单质和各二元晶体结构的形成焓构建能量凸包图，基于构建的能量凸包图，分析各单质和各二元晶体结构在热力学上的稳定性；

步骤4，基于准简谐近似方法，分别对结构优化后的各二元晶体结构进行热学性能的计算；

步骤5，基于步骤4计算得到的各二元晶体结构的热学性能，结合CALPHAD模型，建立TM₁-In-TM₂体系的热力学模型，进而获得TM₁-In-TM₂体系的液相投影面；

步骤6，根据获得的TM₁-In-TM₂体系的液相投影面，分析出共晶点的成分比和温度，筛选出相应的低熔点共晶含铟合金熔接材料。

2.根据权利要求1所述的筛选含铟合金熔接材料的方法，其特征在于，所述的步骤3包括：

步骤3.1，以形成焓为纵坐标，以原子分数为横坐标分别构建各二元晶体结构的能量凸包图；

步骤3.2，构建完各二元晶体结构的能量凸包图后，分别根据各二元晶体结构的形成焓是否小于0.0eV来判断各各二元晶体结构在热力学上的稳定性。

3.根据权利要求2所述的筛选含铟合金熔接材料的方法，其特征在于，步骤3.2中，若二元晶体结构的形成焓大于0.0eV，则二元晶体结构在热力学上不稳定；若二元晶体结构的形成焓小于0.0eV，但二元晶体结构的形成焓不符合构建的能量凸包图规律，则二元晶体结构不是TM₁-In-TM₂体系下最稳定的结构；若二元晶体结构的形成焓小于0.0eV，且二元晶体结构的形成焓符合构建的能量凸包图规律，则二元晶体结构是TM₁-In-TM₂体系下最稳定的结构。

4.根据权利要求1所述的筛选含铟合金熔接材料的方法，其特征在于，所述的步骤4包括：

步骤4.1，对高精度优化后的各二元晶体结构逐个进行声子谱计算，筛选出声子谱无虚频的二元晶体结构；

步骤4.2，对筛选出的声子谱无虚频的各二元晶体结构，进行变体积的能量与体积计算，具体是逐个计算0.97、0.98、0.99、1.00、1.01、1.02、1.03体积下的各二元晶体结构的声子谱，基于准静态近似方法得到相应的热学性能。