[发明专利]异质结太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：它包括如下步骤，

A，在半导体基板第一主面上形成隧穿氧化层；

B，在隧穿氧化层上形成第一本征多晶硅层；

C，使用扩散退火工艺，使第一本征多晶硅层形成P型多晶硅层；

D，去除经扩散退火工艺形成的硼硅玻璃层；

E，在P型多晶硅层上形成掩膜层；

F，对半导体基板第二主面进行制绒清洗，之后去除掩膜层；

G，在半导体基板第二主面上形成第二本征非晶硅层；

H，在第二本征非晶硅层上形成N型掺氧微晶硅层；

I，在P型多晶硅层上形成第一导电膜层，在N型掺氧微晶硅层上形成第二导电膜层；

J，在第一导电膜层上形成第一金属电极，在第二导电膜层上形成第二金属电极；

所述半导体基板为N型硅片；

所述步骤E的具体方法为，在P型多晶硅层上通过等离子体化学气相 沉积或高温化学气相沉积技术沉积氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的至少一种，以形成掩膜层。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述步骤A的具体方法为，在半导体基板第一主面上采用干法氧化方式或湿法氧化方式形成隧穿氧化层；所述干法氧化方式为采用加热氧化或化学气相沉积技术或等离子体辅助氧化，所述湿法氧化方式为采用硝酸氧化或臭氧氧化或添加双氧水氧化技术。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述步骤C的具体方法为，对第一本征多晶硅层进行硼掺杂，使用的掺杂源为三氯化硼或三溴化硼，氧源为纯度大于99.9%的高纯氧气，扩散退火温度为800-1100℃，扩散退火时间为90-300分钟，以形成P型多晶硅层和硼硅玻璃层；所述P型多晶硅层的厚度为30-250nm、方阻为30-300Ω/□。

4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述掩膜层厚度为30-150nm。

5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述步骤H的具体方法为，采用等离子体增强化学气相沉积技术或热丝化学气相沉积技术形成由一层以上的含氧型微晶层和一层以上的非含氧型微晶层进行叠合构成的N型掺氧微晶硅层。

6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述步骤H中，N型掺氧微晶硅层的各个膜层分别采用逐阶段提高N型掺杂气体与硅烷的比值的工艺方式进行沉积。

7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：在步骤A之前还进行抛光清洗，其具体为用温度为65-90℃、氢氧化钾或氢氧化钠的质量百分浓度为3%-12%的碱性溶液对半导体基板进行抛光，之后使用弱碱性溶液和酸性溶液进行清洗。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述步骤F的具体方法为，通过制绒清洗，在半导体基板第二主面上形成金字塔绒面，之后通过含氟的酸性溶液去除掩膜层。

9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述隧穿氧化层的厚度为1-2.5nm；所述第二本征非晶硅层为氢化本征非晶硅层，其厚度为3-12nm；所述N型掺氧微晶硅层的厚度为5-25nm。