[发明专利]一种Cs0.32WO3/(m-t)-BiVO4异质结及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种Cs_0.32WO₃/(m-t)-BiVO₄异质结，其特征在于，包括暴露(010)晶面的十面体状单斜相m-BiVO₄和由十面体状单斜相m-BiVO₄的(110)晶面相变得到的四方相t-BiVO₄，以及负载在四方相t-BiVO₄上的颗粒状Cs_0.32WO₃，十面体状单斜相m-BiVO₄与四方相t-BiVO₄形成Z型异质结；四方相t-BiVO₄与颗粒状Cs_0.32WO₃形成Z型异质结。

2.权利要求1所述的Cs_0.32WO₃/(m-t)-BiVO₄异质结的制备方法，其特征在于，包括：

S1，将Cs_0.32WO₃晶体粉体分散在水中，经紫外光照射后，得到Cs_0.32WO₃溶液；将暴露(010)和(110)晶面的十面体状单斜相m-BiVO₄晶体粉体分散在乙醇中，经紫外光照射后，得到m-BiVO₄溶液；

S2，将Cs_0.32WO₃溶液和m-BiVO₄溶液混合，在紫外光照射条件下进行光照选择沉积反应，所得产物洗涤、干燥，得到Cs_0.32WO₃/(m-t)-BiVO₄异质结。

3.根据权利要求2所述的Cs_0.32WO₃/(m-t)-BiVO₄异质结的制备方法，其特征在于，S1中，所述十面体状单斜相m-BiVO₄晶体粉体的制备方法为：

步骤1，将Bi(NO₃)₃·5H₂O溶于稀HNO₃溶液中，搅拌至澄清，调节pH为0.52，然后加入NH₄VO₃，搅拌，形成前驱液A；

步骤2，将前驱液A进行水热反应，反应所得沉淀洗涤、干燥，制得暴露(010)和(110)晶面的十面体状单斜相m-BiVO₄晶体粉体。

4.根据权利要求2所述的Cs_0.32WO₃/(m-t)-BiVO₄异质结的制备方法，其特征在于，S1中，所述Cs_0.32WO₃晶体粉体的制备方法为：

步骤1，将WCl₆及CsNO₃溶于无水乙醇中，再加入乙酸，搅拌，形成前驱液B；

步骤2，将前驱液B进行溶剂热反应，反应所得沉淀洗涤、干燥，得到Cs_0.32WO₃晶体粉体。

5.根据权利要求2所述的Cs_0.32WO₃/(m-t)-BiVO₄异质结的制备方法，其特征在于，S1中，所述紫外光照射的时间均为30～40min。

6.根据权利要求2所述的Cs_0.32WO₃/(m-t)-BiVO₄异质结的制备方法，其特征在于，S2中，光照选择沉积反应的时间为180～210min。