[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202211062256.6 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN115332355A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 王裕平;郑志祥;林毓翔;陈炫旭;陈建豪;叶宜函 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
相邻近的第一栅结构与第二栅结构，各包括第一介电间隙壁、栅介电质与栅电极位于该栅介电质上；
源/漏极，在该第二栅结构的相对侧，其中该源/漏极的上表面位于该第二栅结构的该栅介电质的上表面的上方；
金属硅化物，在该源/漏极的该上表面上；以及
第二介电间隙壁，位于该第一栅结构的相对侧壁其中一个上的该第一介电间隙上，且并未配置在该第二栅结构的该第一介电间隙壁上。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一介电间隙壁厚于该第二介电间隙壁。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其是鳍式场效晶体管(fin field-effecttransistor)。
4.如权利要求1所述的半导体结构，还包括隔离结构于该第二介电间隙壁下方。
5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括隔离结构，邻近该第一栅结构的该相对侧壁中具有该第二介电间隙壁于其上的该一个侧。
6.一种制造方法，包括：
形成相邻近的第一栅结构与第二栅结构，各包括第一介电间隙壁、栅介电质与栅电极位于该栅介电质上；
形成源/漏极在该第二栅结构的相对侧，其中该源/漏极的上表面位于该第二栅结构的该栅介电质的上表面的上方；
形成金属硅化物在该源/漏极的该上表面上；以及
形成第二介电间隙壁于该第一栅结构的相对侧壁其中一个上的该第一介电间隙上，且该第二介电间隙壁并未配置在该第二栅结构的该第一介电间隙壁上。
7.如权利要求6所述的制造方法，其中该第一介电间隙壁厚于该第二介电间隙壁。
8.如权利要求6所述的制造方法，其中该第一栅结构与该第二栅结构各还包括盖层形成于该栅电极的上表面上。
9.如权利要求6所述的制造方法，还包括形成隔离结构于该第二介电间隙壁下方。
10.如权利要求6所述的制造方法，还包括形成隔离结构邻近该第一栅结构的该相对侧壁中具有该第二介电间隙壁于其上的该一个侧。
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