[发明专利]一种NiS2 在审
申请号: | 202211061672.4 | 申请日: | 2022-09-01 |
公开(公告)号: | CN115548283A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 邓齐波;安翠华;胡宁;武帅;高玲肖;张静宇;王超 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62 |
代理公司: | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人: | 付长杰 |
地址: | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nis base sub | ||
1.一种NiS2@C/HC电极材料的制备方法,其特征在于,该制备方法包括如下步骤:
步骤1:将物质的量比为2:5~4:5的NiSO4·6H2O和苯并咪唑加入体积比为1:1的水与乙醇的混合溶液中,恒速磁力搅拌至完全溶解,获得混合物;
步骤2:然后将上述混合物转移到聚四氟乙烯的高压反应釜中,在160~200℃的鼓风干燥箱中放置3~5h,冷却到室温后,通过离心法得到绿色前驱体Ni-BMZ;
步骤3:将绿色前驱体Ni-BMZ重新分散到0.03~0.07M的葡萄糖水溶液中,并转移到反应釜中,在110~130℃下反应3~5h,离心后得到Ni-BMZ/HC复合材料;
步骤4:将物质的量比为1:2~1:4的Ni-BMZ/HC复合材料和硫粉混合研磨成均匀粉末,将均匀粉末在Ar气氛下于480~520℃管式炉中焙烧1~3h,得到NiS2@C/HC电极材料。
2.根据权利要求1所述的NiS2@C/HC电极材料的制备方法,其特征在于,所述NiSO4·6H2O和苯并咪唑物质的量比例为3:5;所述葡萄糖水溶液的浓度为0.05M;所述Ni-BMZ/HC复合材料与硫粉的物质的量比例为1:3。
3.根据权利要求1所述的NiS2@C/HC电极材料的制备方法,其特征在于,步骤2中鼓风干燥箱温度设置为180℃,在此温度下保温4小时;步骤3中,鼓风干燥箱温度设置为120℃,并在此温度下保温4小时;步骤4中,管式炉温度设置为500℃,并保温2小时。
4.根据权利要求1所述的NiS2@C/HC电极材料的制备方法,其特征在于,所述NiS2@C/HC电极材料为具有豌豆状结构的NiS2@C/HC,其中HC相当于豌豆皮,NiS2@C相当于中间的豌豆球。
5.根据权利要求1所述的NiS2@C/HC电极材料的制备方法,其特征在于,所述NiS2@C/HC电极材料中的NiS2粒子尺寸为8-15nm。
6.一种NiS2@C/HC电极材料,其特征在于,该材料由如权利要求1-5任一项所述的制备方法而得,NiS2@C/HC电极材料中原位碳和非原位碳的摩尔比为1:0.7~1:2.2。
7.一种NiS2@C/HC电极材料的应用,其特征在于,将电极材料应用至组装水系二次电池中,将经过处理的铁粉电极作为阳极,以单电极NiS2@C/HC电极为阴极,玻璃纤维为隔膜,6MKOH水溶液为电解液;将阳极和阴极NiS2@C/HC组装成双电极体系;其中单电极NiS2@C/HC电极由如权利要求1-5任一项所述的制备方法而得。
8.根据权利要求7所述的应用,其特征在于,将所述电极材料应用在水系二次电池中时,水系二次电池在15A·g-1的超大电流密度下循环10000次后容量保持率为74%以上,在1A·g-1电流密度下放电容量为185mAh·g-1以上,在5A·g-1电流密度下放电容量154.0mAh·g-1以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学,未经河北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211061672.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法