[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

采用第一薄膜沉积工艺，在所述基底表面形成第一薄膜层，其中，所述第一薄膜层具有亲氧元素；

对所述第一薄膜层进行表面处理，以抑制所述第一薄膜层的氧化；

采用不同于所述第一薄膜沉积工艺的第二薄膜沉积工艺，在所述表面处理后的第一薄膜层表面形成第二薄膜层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在进行第二薄膜沉积工艺之前，在对所述第一薄膜层进行表面处理之后，至少将形成有第一薄膜层的半导体结构置于氮气氛围中。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述亲氧元素包括硅，和/或铝。

4.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一薄膜层的材料为TiSiN、TiAlN、TiSiAl、TiAlC、TaSiN、TaAlN、TaAlC中的至少一种。

5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，对所述第一薄膜层进行表面处理的步骤包括：回刻蚀去除部分厚度的所述第一薄膜层，降低所述第一薄膜层表面的所述亲氧元素含量，以抑制所述第一薄膜层的氧化。

6.如权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述回刻蚀过程的刻蚀液为NH₄OH、H₂O₂以及H₂O的混合液，其中，NH₄OH、H₂O₂以及H₂O的体积比为1：(1～10)：(20～50)。

7.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，对所述第一薄膜层进行表面处理的步骤包括：采用氨气对所述第一薄膜层表面进行氮化处理，以抑制所述第一薄膜层的氧化，其中，所述氮化处理的处理温度为300℃～450℃，氨气的流量为2000sccm～3000sccm。

8.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，对所述第一薄膜层进行表面处理的步骤包括：采用浓度小于等于1％的酸性溶液对所述第一薄膜层表面进行清洗处理，以抑制所述第一薄膜层的氧化。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二薄膜层为金属层，所述金属层的沉积温度大于等于500℃。

10.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一薄膜沉积工艺为化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、物理化学气相沉积或原子层沉积工艺中的一种；所述第二薄膜沉积工艺为化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、物理化学气相沉积或原子层沉积工艺中的一种。

11.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二薄膜层具有金属元素；在形成所述第二薄膜层之前，还包括：在所述第一薄膜层表面形成过渡层，所述过渡层含有所述亲氧元素以及所述金属元素。

12.一种半导体结构，其特征在于，采用权利要求1至11任意一项所述的制造方法制造得到，所述半导体结构包括：

基底；

第一薄膜层，位于所述基底的表面，所述第一薄膜层具有亲氧元素；

第二薄膜层，所述第二薄膜层位于所述第一薄膜层表面。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一薄膜层的材料为TiSiN、TiAlN、TiSiAl、TiAlC、TaSiN、TaAlN、TaAlC中的至少一种。