[发明专利]一种底电极激发式声表面波器件制备方法

权利要求书

1.一种底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.对压电晶圆预处理，在所述压电晶圆上光刻定义电极引出用导通孔的位置；

S2.在所述压电晶圆上制备所述导通孔，并在所述导通孔内进行种子层溅射后，在所述导通孔内进行电镀填充；

S3.对所述压电晶圆表面进行抛光，并进行表面修平；

S4.在所述压电晶圆上套刻图形，使其所述图形与所述导通孔重合，所述图形包括电极结构和叉指换能器结构；

S5.在所述压电晶圆上表面沉淀绝缘层；

S6.将所述压电晶圆与衬底晶圆进行表面预处理，增加其活性后采用常温晶圆直接键合的方式进行键合；

S7.对所述衬底晶圆的压电层结构处减薄，并进行抛光和表面修平；

S8.在所述电极结构处制备凸点下金属化层，并在带有所述凸点下金属化层的晶圆表面制备焊点。

2.根据权利要求1所述的底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于：在步骤S5中还包括制备功能层，在所述绝缘层表面沉淀所述功能层，并进行抛光和表面修平。

3.根据权利要求2所述的底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于：所述绝缘层为SiO₂绝缘层，所述功能层为SiO₂功能层。

4.根据权利要求2所述的底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于：步骤S5中，表面修平后的所述绝缘层和所述功能层的膜层厚度与设计指标误差在5nm以内，片内均匀性要求在±2nm以内。

5.根据权利要求1所述的底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于：步骤S1中，通过光刻工艺确定所述导通孔的位置，且所述压电晶圆由不同切型的LN、LT中的一种材料制成。

6.根据权利要求1所述的底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于：步骤S2中，开设所述导通孔时，所述导通孔的深度比设计需求多20nm～50nm。

7.根据权利要求1所述的底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于：步骤S3和步骤S7中，晶圆抛光时采用化学机械抛光。

8.根据权利要求1所述的底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于：步骤S6中，对键合完成的所述衬底晶圆进行减薄，使其所述衬底晶圆的厚度比设计要求厚度多20nm。

9.根据权利要求1所述的底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于：步骤S8中，焊点制备的方式包括BGA植球、Flip Chip植球及microbump电镀。

10.根据权利要求1所述的底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于：步骤S1中，在所述压电晶圆上光刻定义电极引出用导通孔的位置前，在所述压电晶圆表面涂覆有光刻胶。