[发明专利]功率放大器及射频电路

说明书

本发明揭示了一种功率放大器及射频电路，本发明提供的功率放大器，包括：电容C3，C4，所述电容C3的两端分别连接电感L5和L6，所述电容C4的两端分别连接电感L3和L4，电感L5和L3的连接节点以及电感L6和L4的连接节点分别连接至阻抗转换器的输入端。本发明所提供的功率放大器能够提供更大阻抗转换比，以及更低的负载阻抗，达成更高的发射功率，并能够降低功率放大器的供电电压，降低烧片风险。

技术领域

本发明涉及射频技术领域，特别是涉及一种功率放大器、射频电路、通信设备。

背景技术

5G功率放大器较4G时代功率放大器需要支持更大功率，为达成此目的，目前市场上大部分功率放大器选择的方式为提高供电电压已支持更高发射功率。然而较大的供电电压会造成更高功率放大器本身烧片风险，也会造成系统上供电模块的成本，所以低压操作功率放大器为更优的方式，但低压操作意味着功率放大器需要更低的负载阻抗，一般来说随负载阻抗下降射频性能下降，例如差损上升、带宽变窄。所以越低的负载阻抗设计越困难。

另外，功率放大器负载阻抗常使用阻抗转换器为匹配组件，其优势为大阻抗转换比、低差损、宽带等。即便阻抗传换器有许多优势，一般支持功率等级2(PC2)的功率放大器，采用阻抗转换器设计，也需要操作在较高供电电压。然而在更大的功率等级，例如功率等级1.5(PC1.5)，或者在不允许高供电电压的系统中，传统阻抗转换器也显得不足。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种功率放大器及射频电路，以提升5G功率放大器的发射功率，降低功率放大器的供电电压。

为解决上述技术问题，本发明的第一方面，提供一种功率放大器，包括：电容C3，C4，所述电容C3的两端分别连接电感L5和L6，所述电容C4的两端分别连接电感L3和L4，电感L5和L3的连接节点以及电感L6和L4的连接节点分别连接至阻抗转换器的输入端。

进一步的，所述电容C3的两端还连接放大器负载。

进一步的，所述电容C3和C4为寄生电容。

进一步的，所述电容C3的第一极板、第二极板，所述电容C4的第一极板、第二极板位于同一层。

进一步的，所述电容C3的第一极板靠近所述电容C4的第一极板，所述电容C3的第二极板靠近所述电容C4的第二极板，所述电容C4的第一极板和第二极板位于所述电容C3的第一极板和第二极板之间。

进一步的，所述电感L3、L4、L5和L6为寄生电感。

进一步的，所述寄生电感由连接线或者倒扣芯片凸点形成。

进一步的，所述阻抗转换器的一个输出端接地，另一个输出端连接电容Cs和阻抗Z0。

进一步的，所述电容Cs和阻抗Z0分别接地。

根据本发明的第二方面，提供一种射频电路，包括如第一方面所述的功率放大器。

与现有技术相比，本发明提供的一种功率放大器，包括：电容C3，C4，所述电容C3的两端分别连接电感L5和L6，所述电容C4的两端分别连接电感L3和L4，电感L5和L3的连接节点以及电感L6和L4的连接节点分别连接至阻抗转换器的输入端。本发明所提供的功率放大器能够提供更大阻抗转换比，以及更低的负载阻抗，达成更高的发射功率，并能够降低功率放大器的供电电压，降低烧片风险。

在此基础上，本发明能够实现功率放大器支持低压PC2和PC1.5。

附图说明

图1为本发明中一种功率放大器的电路结构框图；

图2为本发明一个实施例的功率放大器的电路结构框图；

图3为本发明一个实施例的功率放大器中部分结构的设计示意图；