[发明专利]使用结合的XPS和XRF技术测定锗化硅厚度和组成在审
| 申请号： | 202211049485.4 | 申请日： | 2015-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN115388950A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 希思·A·波伊斯;李维迪 | 申请（专利权）人： | 诺威量测设备公司 |
| 主分类号： | G01D21/02 | 分类号： | G01D21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 陈知宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 结合 xps xrf 技术 测定 锗化硅 厚度 组成 | ||
1.一种用于表征锗化硅膜的方法，所述方法包括：
产生X射线束；
将样品定位于所述X射线束的路径中；
收集通过用所述X射线束轰击所述样品产生的X射线光电子能谱(XPS)信号；
收集通过用所述X射线束轰击所述样品产生的X射线荧光(XRF)信号；以及
由XRF信号和XPS信号测定所述锗化硅膜的厚度。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
由XRF信号和XPS信号测定所述锗化硅膜的组成。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，测定所述锗化硅膜的组成包括将XRF信号和XPS信号与相对于纯锗膜衡量XPS Ge信号和XRFGe信号的预测强度的实际材料层混合模型相比较，将所述锗化硅膜的剩余部分限制至Si。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，收集XPS信号和收集XRF信号同时进行。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，收集XPS信号和收集XRF信号包括在所述样品的约50μm2计量区内收集。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，测定所述锗化硅膜的厚度包括测定半导体设备的锗化硅沟道层的厚度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，测定所述锗化硅膜的厚度包括测定半导体设备的锗化硅源区或漏区的厚度。
8.一种用于表征锗化硅膜的方法，所述方法包括：
产生X射线束；
将样品定位于所述X射线束的路径中；
收集通过用所述X射线束轰击所述样品产生的X射线光电子能谱(XPS)信号；
收集通过用所述X射线束轰击所述样品产生的X射线荧光(XRF)信号；以及
由XRF信号和XPS信号测定所述锗化硅膜的组成。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，测定所述锗化硅膜的组成包括将XRF信号和XPS信号与相对于纯锗膜衡量XPS Ge信号和XRFGe信号的预测强度的实际材料层混合模型相比较，将所述锗化硅膜的剩余部分限制至Si。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，收集XPS信号和收集XRF信号同时进行。
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