[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，应用于半导体技术领域，其通过将现有技术中的形成RFLDMOS(射频横向扩散MOS管)功率器件的栅极、源极和漏极上的金属硅化物的一步金属硅化工艺分成两步，从而可以利用两步金属硅化工艺分别在RFLDMOS器件的栅极以及源/漏极分别形成目标厚度的金属硅化物层，从而避免了现有技术中利用一步同时形成RFLDMOS器件的栅极、源和漏极上的金属硅化物层，导致的为了降低RFLDMOS器件的多晶硅栅的电阻的目的，而在RFLDMOS器件的源/漏极上形成过厚的金属硅化物所导致的过度消耗源/漏极所在半导体衬底区域内的硅衬底，引起的RFLDMOS器件的源/漏极的结造成损伤，最终出现漏电风险的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着无线通信应用需求的迅速增长，RF LDMOS(射频横向扩散MOS管)功率器件变得越来越重要。RF LDMOS功率器件不但具有良好的电学特性，而且可以与现有CMOS集成电路工艺完全兼容，易于实现大规模RF集成电路。但由于传统RF LDMOS器件多采用重掺杂的传统多晶硅栅电阻，其电阻率约40～100欧姆/cm，这在一定程度上限制了RF LDMOS器件在高速高频方面的应用。也就是说，低电阻栅不仅可以提高LDMOS器件的高频性能，提高输出增益；也是实现大栅宽版图，提高单芯片输出功率，研制高功率器件的必要条件。低阻栅的制备技术是LDMOS晶体管芯片制造工艺过程中的最关键工艺技术之一。

然而，由于RF LDMOS器件的多晶硅栅的电阻(简称栅电阻)增加在宽的器件驱动大的互连线能力中引起显著的延迟。且栅电阻随器件尺寸的减小而增加，这是因为栅长变得越来越短，并且由于边缘效应，窄的栅线条会比宽的栅线条的方块电阻高。

因此，在现有技术中，为了降低RF LDMOS器件的多晶硅栅的电阻率，常用的方法是使多晶硅形成金属硅化物，通常为WSi(钨硅化物)。但是，典型的钨硅化物WSi的电阻率为5～20欧姆/cm，虽然有所降低，但还是无法满足高速或高频的需求。因此，又出现了自对准多晶硅栅工艺，将多晶硅栅的电阻大幅降低。但是，为了降低多晶硅电阻，需要增加金属硅化物的厚度，而现有技术中其是通过一步工艺流程形成RF LDMOS器件的多晶硅栅、源和漏极的硅化物，虽然在多晶硅栅电阻大幅降低，但是对于器件的source/Drain端的结造成损伤，从而出现了漏电风险。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的制造方法，以解决现有技术中为了保证实现多晶硅栅低电阻的同时，导致器件的源/漏极的结造成损伤，从而出现漏电风险的问题。

第一方面，为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有至少一个分立的栅极结构，所述栅极结构包括栅极材料层，所述半导体衬底内还设置有位于所述栅极结构两侧的漏区和源区；

在所述半导体衬底的表面上形成第一遮蔽层，所述第一遮蔽层暴露所述栅极材料层的顶面，并同时遮蔽所述源区和漏区所对应的半导体衬底的表面；

对暴露出的栅极材料层进行第一次金属硅化处理，以形成第一金属硅化物层；

形成第二遮蔽层，所述第二遮蔽层暴露所述源区和漏区所对应的半导体衬底的表面，并同时遮蔽所述第一金属硅化物层的顶面；

对暴露出的所述源区和漏区所对应的半导体衬底进行第二次金属硅化处理，以形成第二金属硅化物层，所述第一金属硅化物的厚度厚于所述第二金属硅化物的厚度。

进一步的，所述栅极材料层的材料可以包括多晶硅。

进一步的，在形成所述第一金属硅化物层之后，且在形成第二遮蔽层之前，所述方法还可以包括：